[發(fā)明專利]一種新型肖特基倒封裝芯片及制造工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110392125.X
• 申請日: 2011-12-01
• 公開（公告）號: CN102437177A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發(fā)明（設計）人: 王興龍;李述州
• 申請（專利權(quán)）人: 重慶平偉實業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L29/41
• 分類號: H01L29/41;H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種新型肖特基倒封裝芯片，包括封裝體、芯片正極、芯片負極、硅片、硅片正極和硅片負極，所述硅片正極和所述芯片正極連接，所述硅片負極和所述芯片負極連接，其特征在于：所述硅片正極和所述硅片負極位于所述硅片的同一側(cè)面；所述硅片正極位于所述硅片的表面上，所述硅片正極的旁邊設置有凹槽，所述硅片負極位于所述凹槽內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型肖特基倒封裝芯片，其特征在于：所述硅片正極與所述凹槽之間設置有隔離溝槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的新型肖特基倒封裝芯片，其特征在于：所述凹槽的深度為15—20微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型肖特基倒封裝芯片，其特征在于：所述硅片正極的表面和所述硅片負極的表面均設置有焊錫層，所述硅片正極通過所述焊錫層與所述芯片正極連接，所述硅片負極表面的焊錫層通過導線與所述芯片負極連接。

5.一種如權(quán)利要求1所述的新型肖特基倒封裝芯片的制造工藝，其特征在于：包括以下步驟：

提供一原始外延硅片；

對原始外延硅片進行氧化，形成氧化層；

一次光刻，形成一次正極溝槽和一次隔離溝槽；

P環(huán)擴散；

二次光刻溝槽，形成一次負極溝槽；

一次腐蝕，形成正極溝槽雛形、隔離溝槽雛形和負極溝槽雛形；

三次光刻，形成帶角正極溝槽、帶角隔離溝槽和帶角負極溝槽；

二次腐蝕，形成光滑正極溝槽、光滑隔離溝槽和光滑負極溝槽；

在光滑正極溝槽和光滑負極溝槽分別濺射金屬Pt、Ni；

蒸發(fā)接觸金屬Ti、Ni、Ag，形成硅片正極和硅片負極；

焊錫，連接硅片正極和芯片正極，連接硅片負極和芯片負極，封裝，得成品。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的新型肖特基倒封裝芯片的制造工藝，其特征在于：所述步驟（1）中原始外延硅片的外延層厚度為5—10微米；所述步驟（2）中氧化層的厚度為5000埃。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的新型肖特基倒封裝芯片的制造工藝，其特征在于：所述步驟（9）中環(huán)境溫度為450℃，氮氣與氫氣的質(zhì)量百分比分別為90%與10%。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的新型肖特基倒封裝芯片的制造工藝，其特征在于：所述步驟（6）和所述步驟（8）中，所述腐蝕所用的腐蝕液的組份為：HF、HAC、HNO₃。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的新型肖特基倒封裝芯片的制造工藝，其特征在于：所述腐蝕液的各組份的質(zhì)量配比為：HF:HAC:HNO₃=1:1:15-25。