[發(fā)明專利]改善晶圓局部露光的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110391838.4 | 申請日: | 2011-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN103137436A | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉金磊;陳志剛;陳盧佳 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人: | 孫大為 |
| 地址: | 201206 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 改善 局部 露光 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域。
背景技術(shù)
如圖1所示,目前放置晶圓的機臺,通過定期的聚焦Focus,水平Leveling及平坦Flatness檢測數(shù)據(jù)對nikon機臺進行預(yù)補,并將以上數(shù)據(jù)對機臺進行預(yù)補。當曝光階段作業(yè)時,預(yù)補的數(shù)據(jù)對晶圓進行預(yù)對準及露光。然而,因晶圓的晶面、晶背出現(xiàn)大的顆粒、或者處理引起的晶圓翹曲等使晶圓表面不平的情形時,機臺聚焦無法充分覆蓋因面內(nèi)高度差異造成的晶圓露光。從而影響機臺的露光成功率,如嚴重時會使晶圓無法作業(yè)。
傳統(tǒng)的方法,通過定期的聚焦Focus,水平Leveling及平坦Flatness檢測數(shù)據(jù)對nikon機臺進行預(yù)補,但不能實時反映當前機臺階段的聚焦Focus、水平Leveling及平坦Flatness狀況。正常露光時不能實時針對晶圓的狀態(tài)進行補正。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種改善晶圓局部露光的方法,它可以使得在露光前,保證晶圓較平坦且穩(wěn)定的狀態(tài)。
為了解決以上技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種改善晶圓局部露光的方法,包括:同步預(yù)對準階段,預(yù)先進行水平及平坦偵測,檢測晶面晶背狀況;實時體現(xiàn)機臺露光階段的狀態(tài),同時也以實時數(shù)據(jù)對露光晶圓進行預(yù)先聚焦、水平及平坦補正。
本發(fā)明的有益效果在于:使得在露光前,保證晶圓較平坦且穩(wěn)定的狀態(tài)。
對預(yù)對準階段,主要針對預(yù)先水平及平坦檢測后,反饋給曝光階段。
同步預(yù)對準階段是通過中間服務(wù)器轉(zhuǎn)換器,實現(xiàn)數(shù)據(jù)互通及預(yù)補。
附圖說明
下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細說明。
圖1是現(xiàn)有的方法工作原理示意圖;
圖2是本發(fā)明所述技術(shù)方案工作原理示意圖。
具體實施方式
如圖2所示,本發(fā)明增加一個同步預(yù)對準的階段,該階段的引入實時體現(xiàn)機臺露光階段的狀態(tài),同時也以實時數(shù)據(jù)對露光晶圓進行預(yù)先聚焦Focus、水平Leveling及平坦Flatness補正。使得在露光前,保證晶圓較平坦且穩(wěn)定的狀態(tài)。同步預(yù)對準階段可以實時體現(xiàn)機臺狀態(tài),同時能夠針對晶圓的晶面晶背狀況進行預(yù)先補正。
本發(fā)明首先以露光階段為基準建立起來,并且各項參數(shù)基本一致,當露光階段或者預(yù)對準階段其中一個階段在X,Y,Z方向發(fā)生移動時通過中間連線的服務(wù)器實時反饋并先前狀態(tài)為基準進行監(jiān)控并補正,形成聯(lián)動結(jié)構(gòu)。當晶圓進行露光時,首先通過同步預(yù)對準階段對晶圓,預(yù)Leveling及Flatness對晶圓階段的狀態(tài)監(jiān)控。并實時反饋給露光階段,當露光時,階段將各位置的預(yù)補狀態(tài)補入,從而避免當晶圓階段不平坦或者晶圓晶面晶背存在顆粒補正聚焦,處理引起的晶圓翹曲等使晶圓表面不平的情形時,機臺聚焦無法充分覆蓋因面內(nèi)高度差異造成的晶圓散光。從而影響機臺的露光成功率,如嚴重時會使晶圓無法作業(yè)。
本發(fā)明并不限于上文討論的實施方式。以上對具體實施方式的描述旨在于為了描述和說明本發(fā)明涉及的技術(shù)方案。基于本發(fā)明啟示的顯而易見的變換或替代也應(yīng)當被認為落入本發(fā)明的保護范圍。以上的具體實施方式用來揭示本發(fā)明的最佳實施方法,以使得本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠應(yīng)用本發(fā)明的多種實施方式以及多種替代方式來達到本發(fā)明的目的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





