[發(fā)明專利]改善晶圓局部露光的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110391838.4 | 申請日： | 2011-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN103137436A | 公開（公告）日： | 2013-06-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉金磊;陳志剛;陳盧佳 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 孫大為 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 改善 局部 露光 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種改善晶圓局部露光的方法，其特征在于，包括：
同步預(yù)對準階段，預(yù)先進行水平及平坦偵測，檢測晶面晶背狀況；
實時體現(xiàn)機臺露光階段的狀態(tài)，同時也以實時數(shù)據(jù)對露光晶圓進行預(yù)先聚焦、水平及平坦補正。
2.如權(quán)利要求1所述的改善晶圓局部露光的方法，其特征在于，在預(yù)對準階段，預(yù)先水平及平坦檢測后，將檢測數(shù)據(jù)反饋給曝光階段。
3.如權(quán)利要求1所述的改善晶圓局部露光的方法，其特征在于，同步預(yù)對準階段通過中間服務(wù)器轉(zhuǎn)換器，實現(xiàn)數(shù)據(jù)互通及預(yù)補。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
