[發明專利]改善晶圓局部露光的方法有效
| 申請號： | 201110391838.4 | 申請日： | 2011-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN103137436A | 公開（公告）日： | 2013-06-05 |
| 發明（設計）人： | 劉金磊;陳志剛;陳盧佳 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 孫大為 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 局部 露光 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種改善晶圓局部露光的方法，其特征在于，包括：
同步預對準階段，預先進行水平及平坦偵測，檢測晶面晶背狀況；
實時體現機臺露光階段的狀態，同時也以實時數據對露光晶圓進行預先聚焦、水平及平坦補正。
2.如權利要求1所述的改善晶圓局部露光的方法，其特征在于，在預對準階段，預先水平及平坦檢測后，將檢測數據反饋給曝光階段。
3.如權利要求1所述的改善晶圓局部露光的方法，其特征在于，同步預對準階段通過中間服務器轉換器，實現數據互通及預補。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
