[發明專利]深溝槽拐角鈍化改善的方法有效
| 申請號： | 201110391830.8 | 申請日： | 2011-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN103137487A | 公開（公告）日： | 2013-06-05 |
| 發明（設計）人： | 郁新舉;吳志勇 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月紅 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 深溝 拐角 鈍化 改善 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種深溝槽拐角鈍化改善的方法，其特征在于，包括步驟：
(1)在硅基板上成長一層硬質掩膜板基材，并形成光刻圖案；
(2)刻蝕形成硬質掩膜板圖案；
(3)刻蝕形成深溝槽；
(4)將硬質掩膜板向兩側刻蝕；
(5)去除深溝槽頂部尖角；
(6)去除硬質掩膜板。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟(1)中，硬質掩膜板基材，其厚度為2000～3000A，包括：氧化膜、氮化膜、或能實現與氧化膜或氮化膜相同功能的膜。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于：所述能實現與氧化膜或氮化膜相同功能的膜，是氮氧化膜。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟(2)中，采用干法或濕法刻蝕，形成硬質掩膜板圖案。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟(3)中，采用干法刻蝕，形成深溝槽，該深溝槽的深度為1～150微米。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟(4)中，采用濕法刻蝕，將硬質掩膜板向兩側分別刻蝕500～1000A左右。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟(5)中，采用干法刻蝕，將深溝槽頂部尖角去除。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟(6)中，采用濕法刻蝕，將硅基板上面的硬質掩膜板去除。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
