[發明專利]摻雜的多晶硅柵極的制作方法、MOS晶體管及其制作方法

有效

• 申請號: 201110391707.6
• 申請日: 2011-11-30
• 公開（公告）號: CN102376557A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 霍介光;趙立新
• 申請（專利權）人: 格科微電子(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種摻雜的多晶硅柵極的制作方法，包括下述步驟：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有多晶硅層；

在所述多晶硅層上形成合金層，所述合金層厚度不超過400埃；

圖形化所述多晶硅層與合金層以形成多晶硅柵極；

對所述半導體襯底注入離子，以在所述多晶硅柵極兩側的半導體襯底中形成離子摻雜區并且在所述多晶硅柵極中摻雜所述離子。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述合金層的厚度為100至400埃。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述合金層包括硅化鎢、氮硅化鎢或氮化鎢。

4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述多晶硅層的厚度為500至2000埃。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成合金層的步驟進一步包括：

通過化學氣相沉積方式在所述多晶硅層上沉積合金材料。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成合金層的步驟進一步包括：

在所述多晶硅層上沉積金屬；以及

對所述半導體襯底進行退火處理以在所述多晶硅層表面形成所述合金層。

7.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述注入離子為砷離子，其能量為60至90keV，注入劑量為3×10¹⁵cm^-2至6×10¹⁵cm^-2。

8.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述注入離子為硼離子，其能量為4至9keV，注入劑量為3×10¹⁵cm^-2至6×10¹⁵cm^-2。

9.一種MOS晶體管的制作方法，其特征在于，包括根據權利要求1至8中任一項所述的摻雜的多晶硅柵極的制作方法。

10.一種MOS晶體管，其特征在于，包括：

多晶硅柵極，其形成于半導體襯底上，所述多晶硅柵極摻雜為第一導電類型，其中所述多晶硅柵極具有位于其上的合金層；以及

源區與漏區，其形成在所述多晶硅柵極兩側的所述半導體襯底中，所述源區與所述漏區摻雜為與所述多晶硅柵極相同的導電類型，并且其中所述源區與所述漏區的表面不形成所述合金層。

11.根據權利要求10所述的MOS晶體管，其特征在于，所述合金層的厚度為100至400埃。

12.根據權利要求10所述的MOS晶體管，其特征在于，所述合金層包括硅化鎢、氮硅化鎢或氮化鎢。

13.根據權利要求10所述的MOS晶體管，其特征在于，所述多晶硅柵極具有厚度為500至2000埃的多晶硅層。