[發明專利]檢測讀取操作對臨近單元干擾的方法

有效

• 申請號: 201110391394.4
• 申請日: 2011-11-30
• 公開（公告）號: CN102436850A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 陳巍巍;陳嵐;龍爽;楊詩洋
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明;王寶筠

1.一種檢測讀取操作對臨近單元干擾的方法，其特征在于，包括：

選通被讀取存儲單元的字線；選通存儲陣列的多根連續位線，其中

在所述被讀取存儲單元的一根位線施加第一讀取電壓，另一根位線施加第二讀取電壓，第二讀取電壓高于第一讀取電壓；

測量與所述被讀取存儲單元施加第二讀取電壓的位線相鄰的至少一根位線的電壓；

計算流過與所述至少一根位線連接的存儲單元的泄露電流；

判斷所述泄露電流是否大于預設電流值，如果是，與被讀取存儲單元臨近的存儲單元受到讀取操作的干擾；如果否，與被讀取存儲單元臨近的存儲單元不受讀取操作的干擾。

2.根據權利要求1所述的檢測讀取操作對臨近單元干擾的方法，其特征在于，所述測量與所述被讀取存儲單元施加第二讀取電壓的位線相鄰的至少一根位線的電壓為：

與NMOS晶體管柵極連接的高壓產生器產生開啟電壓，所述開啟電壓開啟NMOS晶體管；

與所述NMOS晶體管源極連接的測試終端測量通過位線選通裝置與所述NMOS晶體管漏極選通的位線的電壓。

3.根據權利要求1或2所述的檢測讀取操作對臨近單元干擾的方法，其特征在于，選通存儲陣列的至少四根連續位線，測量與所述被讀取存儲單元施加第二讀取電壓的位線相鄰的兩根連續位線的電壓。

4.根據權利要求1或2所述的檢測讀取速度受到干擾的方法，其特征在于，選通與所述被讀取存儲單元施加第一讀取電壓的位線相鄰位線，在所述相鄰位線上施加與所述第一讀取電壓相等的電壓。

5.根據權利要求1或2所述的檢測讀取速度受到干擾的方法，其特征在于，所述在所述被讀取存儲單元的一根位線施加低電壓為：

控制信號控制源極接地的MOS晶體管的源極和漏極導通為連接在漏極的被讀取存儲單元的位線施加第一讀取電壓。

6.根據權利要求5所述的檢測讀取速度受到干擾的方法，其特征在于，所述與所述被讀取存儲單元施加第一讀取電壓的位線相鄰的位線施加與所述第一讀取電壓相等的電壓為：

所述控制信號控制源極接地的MOS晶體管的源極和漏極導通為連接在漏極的位線施加所述第一讀取電壓。

7.根據權利要求1或2所述的檢測讀取速度受到干擾的方法，其特征在于，所述選通存儲陣列的至少三根連續位線具體為：

多個選通控制信號控制多個MOS晶體管導通，其中，一個選通控制信號控制一個MOS晶體管的源極和漏極導通，使連接在一個MOS晶體管的源極的連續多根位線中的一根位線施加連接在漏極的所述第一讀取電壓或第二讀取電壓。

8.根據權利要求1或2所述的檢測讀取操作對臨近存儲單元干擾的方法，其特征在于，低電平產生裝置為所述被讀取存儲單元的一根位線施加第一讀取電壓。

9.根據權利要求1或2所述的檢測讀取操作對臨近存儲單元干擾的方法，其特征在于，電流讀取裝置為所述被讀取存儲單元的一根位線施加第二讀取電壓。