[發(fā)明專利]晶片缺陷的檢測方法及系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110391378.5 | 申請日: | 2011-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN102412168A | 公開(公告)日: | 2012-04-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王洲男;龍吟;倪棋梁;陳宏璘;郭明升 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01N21/95 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅會;郭曉東 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 缺陷 檢測 方法 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種晶片缺陷的檢測方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)
近年來,隨著集成電路(IC)器件的尺寸不斷減小,工藝過程變得越來越復雜,相應地,用于生產(chǎn)晶片的機臺數(shù)量也增加,而為了提高生產(chǎn)效率,需要盡量縮短各機臺的生產(chǎn)時間。但是,在工藝過程中不可避免地會產(chǎn)生缺陷,而能夠準確地檢測到缺陷則成為整個生產(chǎn)過程中尤為重要的一個環(huán)節(jié)。由于生產(chǎn)機臺的數(shù)量很多,造成的缺陷也多種多樣,而準確地檢測到缺陷也就成為了重點難點集中的一個關(guān)鍵步驟。
在這種情況下,為了降低問題機臺對生產(chǎn)效率的影響,進一步地提高產(chǎn)品良率,在生產(chǎn)過程中,在線缺陷掃描和快速準確地找到缺陷問題的根源就顯得尤為重要。
目前為止,還沒有基于缺陷晶片的類型來快速且準確地確定缺陷問題的根源的方法和系統(tǒng)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而提出的,其目的在于提供一種晶片缺陷的檢測方法及系統(tǒng),基于晶片的缺陷類型快速且準確地判斷造成缺陷的原因,通知相對應的生產(chǎn)部門,來快速處理,從而減少問題設備對產(chǎn)品質(zhì)量的影響,同時提高生產(chǎn)效率。
本發(fā)明的技術(shù)方案1為一種晶片缺陷的檢測方法,用于分別在各檢測站中檢測并確定晶片上的缺陷的生產(chǎn)機臺,其特征在于,包括:關(guān)聯(lián)步驟,使缺陷類型分別與各生產(chǎn)機臺組相關(guān)聯(lián);掃描步驟,對晶片進行掃描并生成缺陷數(shù)據(jù);缺陷判斷步驟,基于規(guī)定缺陷數(shù)據(jù)判斷所述晶片是否存在缺陷;組別判斷步驟,在所述缺陷判斷步驟的判斷結(jié)果為是的情況下,判斷所述缺陷的缺陷類型;報警步驟,根據(jù)組別判斷步驟的判定結(jié)果發(fā)出警報;缺陷處理步驟,對報警的生產(chǎn)機臺組進行處理。
技術(shù)方案2的發(fā)明的特征在于,在技術(shù)方案1所述的晶片缺陷的檢測方法中,所述缺陷類型分為非特定缺陷和特定缺陷,當在所述組別判斷步驟中,判定為屬于所述特定缺陷的情況下,在所述報警步驟中,進行特殊報警;當在所述組別判斷步驟中,判定為屬于所述非特定缺陷的情況下,向與經(jīng)由所述組別判斷步驟判定的所述缺陷類型相關(guān)聯(lián)的生產(chǎn)機臺組發(fā)出警報。
技術(shù)方案3的發(fā)明的特征在于,在技術(shù)方案1或2所述的晶片缺陷的檢測方法中,還包括記憶步驟,在該記憶步驟中,記憶在所述檢測站進行處理的所述生產(chǎn)機臺組的信息。
技術(shù)方案4的發(fā)明的特征在于,在技術(shù)方案1~3中任一項所述的晶片缺陷的檢測方法中,所述缺陷數(shù)據(jù)指所述晶片上的缺陷的數(shù)量,所述規(guī)定缺陷數(shù)據(jù)指預先確定的允許的缺陷的數(shù)量,在所述掃描步驟中生成的所述缺陷數(shù)據(jù)為所述規(guī)定缺陷數(shù)據(jù)以下時,判定所述晶片不存在缺陷。
技術(shù)方案5的發(fā)明的特征在于,在技術(shù)方案1~4中任一項所述的晶片缺陷的檢測方法中,所述生產(chǎn)機臺組是按照生產(chǎn)機臺所具有的反應腔的數(shù)量或反應腔特點進行劃分的,各所述缺陷類型分別與各所述生產(chǎn)機臺組相對應。
技術(shù)方案6的發(fā)明的特征在于,在技術(shù)方案1~5中任一項所述的晶片缺陷的檢測方法中,在所示掃描步驟,對一批次的所述晶片進行掃描,所述缺陷類型是對一批次的所述晶片的缺陷進行分類而得到的類型。
技術(shù)方案7的發(fā)明為一種晶片缺陷的檢測方法,用于分別在各檢測站中檢測并確定晶片上的缺陷的機械手,其特征在于,包括:關(guān)聯(lián)步驟,使缺陷類型分別與各機械手組相關(guān)聯(lián);掃描步驟,對晶片進行掃描并生成缺陷數(shù)據(jù);
缺陷判斷步驟,基于規(guī)定缺陷數(shù)據(jù)判斷所述晶片是否存在缺陷;組別判斷步驟,在所述缺陷判斷步驟的判斷結(jié)果為是的情況下,判斷所述缺陷的缺陷類型;報警步驟,根據(jù)組別判斷步驟的判定結(jié)果發(fā)出警報;缺陷處理步驟,對報警的生產(chǎn)機臺組進行處理。
技術(shù)方案8的發(fā)明的特征在于,在技術(shù)方案7所述的晶片缺陷的檢測方法中,所述缺陷類型分為非特定缺陷和特定缺陷,當在所述組別判斷步驟中,判定為屬于所述特定缺陷的情況下,在所述報警步驟中,進行特殊報警;當在所述組別判斷步驟中,判定為屬于所述非特定缺陷的情況下,向與經(jīng)由所述組別判斷步驟判定的所述缺陷類型相關(guān)聯(lián)的機械手組發(fā)出警報。
技術(shù)方案9的發(fā)明的特征在于,在技術(shù)方案求7或8中所述的晶片缺陷的檢測方法中,還包括記憶步驟,在該記憶步驟中,記憶在所述檢測站進行處理的所述機械手組的信息。
技術(shù)方案10的發(fā)明為一種晶片缺陷的檢測系統(tǒng),用于在各檢測站檢測并確定晶片上的缺陷的各裝置組,其特征在于,包括:關(guān)聯(lián)單元,使缺陷類型分別與各裝置組相關(guān)聯(lián),其中,所述裝置組包括機械手組和生產(chǎn)機臺組;掃描單元,對晶片進行掃描并生成缺陷數(shù)據(jù);缺陷判斷單元,基于規(guī)定缺陷數(shù)據(jù)判斷所述晶片是否存在缺陷;組別判斷單元,判斷所述缺陷的缺陷類型;報警單元,用于向所述裝置組發(fā)出警報;缺陷處理單元,對報警的所述裝置組進行處理。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





