[發(fā)明專利]晶片缺陷的檢測(cè)方法及系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110391378.5
• 申請(qǐng)日: 2011-11-30
• 公開（公告）號(hào): CN102412168A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王洲男;龍吟;倪棋梁;陳宏璘;郭明升
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;G01N21/95
• 代理公司: 隆天國際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 董雅會(huì);郭曉東

1.一種晶片缺陷的檢測(cè)方法，用于分別在各檢測(cè)站中檢測(cè)并確定晶片上的缺陷的生產(chǎn)機(jī)臺(tái)，其特征在于，包括：

關(guān)聯(lián)步驟，使缺陷類型分別與各生產(chǎn)機(jī)臺(tái)組相關(guān)聯(lián)；

掃描步驟，對(duì)晶片進(jìn)行掃描并生成缺陷數(shù)據(jù)；

缺陷判斷步驟，基于規(guī)定缺陷數(shù)據(jù)判斷各所述晶片是否存在缺陷；

組別判斷步驟，在所述缺陷判斷步驟的判斷結(jié)果為是的情況下，判斷所述缺陷的缺陷類型；

報(bào)警步驟，根據(jù)組別判斷步驟的判定結(jié)果發(fā)出警報(bào)；

缺陷處理步驟，對(duì)報(bào)警的生產(chǎn)機(jī)臺(tái)組進(jìn)行處理。

2.如權(quán)利要求1所述的晶片缺陷的檢測(cè)方法，其特征在于，所述缺陷類型分為非特定缺陷和特定缺陷，

當(dāng)在所述組別判斷步驟中，判定為屬于所述特定缺陷的情況下，在所述報(bào)警步驟中，進(jìn)行特殊報(bào)警；當(dāng)在所述組別判斷步驟中，判定為屬于所述非特定缺陷的情況下，使與經(jīng)由所述組別判斷步驟判定的所述缺陷類型相關(guān)聯(lián)的生產(chǎn)機(jī)臺(tái)組發(fā)出警報(bào)。

3.如權(quán)利要求1或2所述的晶片缺陷的檢測(cè)方法，其特征在于，還包括記憶步驟，在該記憶步驟中，記憶在所述檢測(cè)站進(jìn)行處理的所述生產(chǎn)機(jī)臺(tái)組的信息。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的晶片缺陷的檢測(cè)方法，其特征在于，

所述缺陷數(shù)據(jù)指所述晶片上的缺陷的數(shù)量，

所述規(guī)定缺陷數(shù)據(jù)指預(yù)先確定的允許的缺陷的數(shù)量，

在所述掃描步驟中生成的所述缺陷數(shù)據(jù)為所述規(guī)定缺陷數(shù)據(jù)以下時(shí)，判定所述晶片不存在缺陷。

5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的晶片缺陷的檢測(cè)方法，其特征在于，所述生產(chǎn)機(jī)臺(tái)組是按照生產(chǎn)機(jī)臺(tái)所具有的反應(yīng)腔的數(shù)量或反應(yīng)腔特點(diǎn)進(jìn)行劃分的，

各所述缺陷類型分別與各所述生產(chǎn)機(jī)臺(tái)組相對(duì)應(yīng)。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的晶片缺陷的檢測(cè)方法，其特征在于，

在所示掃描步驟，對(duì)一批次的所述晶片進(jìn)行掃描，

所述缺陷類型是對(duì)一批次的所述晶片的缺陷進(jìn)行分類而得到的類型。

7.一種晶片缺陷的檢測(cè)方法，用于分別在各檢測(cè)站中檢測(cè)并確定晶片上的缺陷的機(jī)械手，其特征在于，包括：

關(guān)聯(lián)步驟，使缺陷類型分別與各機(jī)械手組相關(guān)聯(lián)；

掃描步驟，對(duì)晶片進(jìn)行掃描并生成缺陷數(shù)據(jù)；

缺陷判斷步驟，基于規(guī)定缺陷數(shù)據(jù)判斷所述晶片是否存在缺陷；

組別判斷步驟，在所述缺陷判斷步驟的判斷結(jié)果為是的情況下，判斷所述缺陷的缺陷類型；

報(bào)警步驟，根據(jù)組別判斷步驟的判定結(jié)果發(fā)出警報(bào)；

缺陷處理步驟，對(duì)報(bào)警的生產(chǎn)機(jī)臺(tái)組進(jìn)行處理。

8.如權(quán)利要求7所述的晶片缺陷的檢測(cè)方法，其特征在于，所述缺陷類型分為非特定缺陷和特定缺陷，

當(dāng)在所述組別判斷步驟中，判定為屬于所述特定缺陷的情況下，在所述報(bào)警步驟中，進(jìn)行特殊報(bào)警；當(dāng)在所述組別判斷步驟中，判定為屬于所述非特定缺陷的情況下，向與經(jīng)由所述組別判斷步驟判定的所述缺陷類型相關(guān)聯(lián)的機(jī)械手組發(fā)出警報(bào)。

9.如權(quán)利要求7或8所述的晶片缺陷的檢測(cè)方法，其特征在于，還包括記憶步驟，在該記憶步驟中，記憶在所述檢測(cè)站進(jìn)行處理的所述機(jī)械手組的信息。

10.一種晶片缺陷的檢測(cè)系統(tǒng)，用于分別在各檢測(cè)站中檢測(cè)并確定晶片上的缺陷的機(jī)械手其特征在于，包括：

關(guān)聯(lián)單元，使缺陷類型分別與各裝置組相關(guān)聯(lián)，其中，所述裝置組包括機(jī)械手組和生產(chǎn)機(jī)臺(tái)組；

掃描單元，對(duì)晶片進(jìn)行掃描并生成缺陷數(shù)據(jù)；

缺陷判斷單元，基于規(guī)定缺陷數(shù)據(jù)判斷所述晶片是否存在缺陷；

組別判斷單元，判斷所述缺陷的缺陷類型；

報(bào)警單元，用于向所述裝置組發(fā)出警報(bào)；

缺陷處理單元，對(duì)報(bào)警的所述裝置組進(jìn)行處理。