[發明專利]記憶元件及其制造方法

無效

• 申請號: 201110390964.8
• 申請日: 2011-11-25
• 公開（公告）號: CN103137627A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 顏士貴
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/792;H01L21/8247
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種記憶元件，其特征在于其包括：

一穿隧介電層，位于一基底上；

一柵極，位于該穿隧介電層上；

至少一電荷儲存層，位于該柵極與該穿隧介電層之間；

二摻雜區，位于該柵極兩側的該基底中；以及

一字元線，位于該柵極上，與該柵極電性連接，且該字元線的厚度大于該柵極的厚度。

2.根據權利要求1所述的記憶元件，其特征在于其中所述的字元線的厚度與該柵極厚度的比值為5/1至10/1。

3.根據權利要求2所述的記憶元件，其特征在于其中所述的柵極的厚度為100埃至300埃。

4.根據權利要求1所述的記憶元件，其特征在于還包括：

一柵介電層，位于該柵極與該基底之間，且在該柵介電層兩側、該柵極下方及該基底上方各具有一空隙；

該電荷儲存層位于該些間隙中。

5.一種記憶元件的制造方法，其特征在于其包括以下步驟：

在一基底上形成一柵介電層，并在該柵介電層上形成一導體層，其中在該柵介電層兩側、該導體層下方以及該基底上方形成一凹槽；

形成一襯材料層，覆蓋該基底的表面、該柵介電層的側壁、該導體層的底部、側壁以及上表面，該襯材料層未填滿該凹槽，而在該導體層下方形成一空隙；

在該襯材料層的表面上以及該些空隙之中分別形成一電荷儲存材料層；

進行一轉化工藝程，使該些空隙外的該電荷儲存材料層轉變為一間隙壁材料層，留在該些空隙之中的各該電荷儲存材料層為一電荷儲存層，其凸出于該導體層的側壁；以及

移除該導體層上方以及該基底上的該間隙壁材料層以及該襯材料層，以在該導體層的側壁形成一間隙壁與一襯層。

6.根據權利要求5所述的記憶元件及其制造方法，其特征在于其中所述的轉化工藝包括熱氧化工藝。

7.根據權利要求5所述的記憶元件及其制造方法，其特征在于其中移除該柵極上方以及該基底上的該間隙壁材料層以及該襯材料層的法包括非等向性蝕刻工藝。

8.一種記憶元件的制造方法，其特征在于其包括以下步驟：

在一基底上形成一金屬氧化物半導體結構，此結構包括一穿隧介電層、一電荷儲存層以及一導體層，其中該電荷儲存層位于該穿隧介電層與該導體層之間；

在該金屬氧化物半導體結構周圍形成一介電層，該介電層與該金屬氧化物半導體結構具有平坦表面；

移除部分該導體層以及該介電層，以減少該導體層的厚度；

在該導體層上形成一字元線；以及

移除未被該字元線覆蓋的該導體層，以形成一柵極。

9.根據權利要求8所述的記憶元件的制造方法，其特征在于其中所述的字元線的厚度與該柵極的厚度的比值為5/1至10/1。

10.根據權利要求8所述的記憶元件的制造方法，其特征在于其中移除部分該導體層以及該介電層的方法包括非等向性蝕刻工藝。