[發明專利]處理基板的方法

有效

• 申請號: 201110389676.0
• 申請日: 2011-11-30
• 公開（公告）號: CN102479686A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: J.奧爾特納;M.索爾格
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 曲寶壯;蔣駿

技術領域

實施例一般涉及處理基板的方法。

背景技術

在半導體處理中，可能希望實現三維（3D）結構。實現3D結構的方法例如包括光刻工藝。然而，借助于光刻工藝創建3D結構可能是辛苦（例如，可能需要很多次的工藝步驟）和/或昂貴（例如，由于雙光子吸收工藝、昂貴工具的使用）的。標準工藝（例如，標準微光刻工藝或納米壓印工藝）僅可以限定二維（水平）結構。

附圖說明

圖中，遍及不同的視圖，相同的參考符號一般表示相同的部件。附圖沒有必要按比例繪制，而是一般將重點放在說明本發明的原理上。在下面的描述中，參考下面的附圖描述各個實施例，附圖中：

圖1是說明根據一個實施例的處理基板的方法的圖示；

圖2是說明根據一個實施例的處理基板的方法的圖示；

圖3示出可以借助于根據一個實施例的處理基板的方法獲得的示例性三維結構的示意性透視圖；

圖4示出印模裝置的示意性透視圖，該印模裝置配置成可以在根據一個實施例的處理基板以獲得圖3的三維結構的方法中使用的印模；

圖5A至5G示出基板的示意性剖面圖，用于說明根據一個實施例的處理基板的方法中的不同階段；

圖6示出基板的示意性剖面圖，用于說明使用根據一個實施例的處理基板的方法形成金屬化結構；

圖7示出管芯陣列的示意性頂視圖，用于說明使用根據一個實施例的處理基板的方法形成管芯金屬化結構；

圖8示出管芯的示意性透視圖，用于說明使用根據一個實施例的處理基板的方法形成管芯金屬化結構；

圖9A至9E示出基板的示意性剖面圖，用于說明根據一個實施例的處理基板的方法中的不同階段；

圖10示出印模裝置的示意性剖面圖，該印模裝置配置成可以在根據一些實施例的處理基板的方法中使用的錕。

具體實施方式

下面的詳細描述參考附圖，附圖通過說明的方式示出可以實踐本發明的特定細節和實施例。這些實施例被充分地描述以使得本領域技術人員能夠實踐本發明。可以利用其他實施例且可以在不偏離本發明的范圍的條件下做出結構、邏輯和電學改變。各個實施例沒有必要相互排他，因為一些實施例可以與一個或更多其他實施例組合以形成新的實施例。

當在此使用時，術語“層”或“層結構”可以理解成表示單層或包括多個子層的層序列（也稱為層堆疊）。在層序列或層堆疊中，各個子層例如可以包括不同材料或可以由不同材料制成，或者子層中的至少一個可以包括與子層中的另一個相同的材料或可以由與子層中的另一個相同的材料制成。

當在此使用時，術語“在...上設置”、“在...上布置”或“在...上形成”可以理解成表示可以在另一層（元件或實體）上以直接機械和/或電學接觸的方式放置的層（或一些其他元件或實體）。層（元件或實體）還可以與另一層（元件或實體）以間接（機械和/或電學）接觸方式放置，在這種情況中，其間可以存在一個或更多附加層（元件或實體）。

當在此使用時，術語“在...之上設置”、“在...之上布置”或“在...之上形成”可以理解成表示可以至少間接地放置在另一層（元件或實體）上的層（或一些其他元件或實體）。即，一個或更多其它層（元件或實體）可以位于給定層（元件或實體）之間。

術語“電學連接”、“電學接觸”或“電學耦合”可以理解為包括直接電學連接、接觸或耦合以及間接電學連接、接觸或耦合。

圖1是說明根據一個實施例的處理基板的方法100的圖示。

根據一個實施例，基板可以是半導體基板，換句話說，是可以包括一個或更多半導體材料或可以由一個或更多半導體材料制成的基板。例如，基板可以包括硅（Si）或可以由硅（Si）制成，備選地是任意其他合適的半導體材料，諸如鍺（Ge）、IV-IV族化合物半導體（例如SiGe）、III-V族化合物半導體（例如GaAs）、II-VI族化合物半導體（例如CdTe）或任意其他合適的半導體材料。

根據一個實施例，基板可以是晶片或可以包括晶片或可以是晶片的一部分，例如半導體晶片（諸如例如硅晶片），備選地是任意其他合適的半導體晶片。

根據另一實施例，基板可以是印刷電路板（PCB）或可以包括印刷電路板（PCB）。

在102中，可以在基板中形成溝槽。

根據一個實施例，形成溝槽可以包括蝕刻工藝。換句話說，可以使用蝕刻工藝（例如標準溝槽蝕刻工藝）形成溝槽。根據另一個實施例，形成溝槽可以包括切割工藝。換句話說，可以使用切割工藝形成溝槽。根據其他實施例，可以借助于其他合適的工藝實現溝槽的形成。