[發(fā)明專利]處理基板的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110389676.0 | 申請(qǐng)日: | 2011-11-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102479686A | 公開(公告)日: | 2012-05-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | J.奧爾特納;M.索爾格 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 曲寶壯;蔣駿 |
| 地址: | 德國瑙伊比*** | 國省代碼: | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 方法 | ||
1.一種處理基板的方法,包括:
在基板中形成溝槽;
至少在溝槽中沉積壓印材料;
使用印模裝置在溝槽中凸印壓印材料;
從溝槽去除印模裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,
其中基板包括半導(dǎo)體基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,
其中壓印材料包括可硬化材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,
還包括在凸印之后且在去除印模裝置之前硬化壓印材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,
其中可硬化材料包括可聚合材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中硬化壓印材料包括以下方式至少之一:
將壓印材料暴露于光;
回火基板;
向壓印材料施加電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,
還包括在去除印模裝置之后至少在溝槽中沉積填充材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,
其中填充材料包括金屬。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,
其中沉積填充材料包括電鍍工藝。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,
其中印模裝置包括適合用于在溝槽中凸印結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,
其中印模裝置包括對(duì)應(yīng)于至少要在溝槽中形成的三維掩膜結(jié)構(gòu)的壓印圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,
其中印模裝置包括金屬。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,
其中印模裝置包括柔性材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,
其中印模裝置包括透明材料;且
其中硬化壓印材料包括將壓印材料暴露于光。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:
在基板中形成至少一個(gè)附加溝槽;
在該至少一個(gè)附加溝槽中沉積壓印材料;
使用印模裝置在該至少一個(gè)附加溝槽中凸印壓印材料;
從該至少一個(gè)附加溝槽去除印模裝置。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法,
其中在至少一個(gè)附加溝槽中凸印壓印材料在溝槽中凸印壓印材料之后實(shí)施。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法,
其中在至少一個(gè)附加溝槽中凸印壓印材料和在溝槽中凸印壓印材料同時(shí)實(shí)施。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,
其中至少在溝槽中沉積壓印材料還包括在基板表面的至少一部分之上沉積壓印材料;并且其中使用印模裝置凸印壓印材料還包括凸印沉積在基板表面之上的壓印材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,
其中印模裝置包括印模。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,
其中印模裝置包括錕。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,
其中基板包括印刷電路板。
22.一種處理基板的方法,包括:
在基板中形成溝槽;
至少在溝槽中設(shè)置印模裝置;
使用溝槽填充材料至少部分地填充沒有印模裝置的溝槽的至少一部分;
從溝槽去除印模裝置。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法,
其中溝槽填充材料包括可硬化材料,且其中該方法還包括在使用溝槽填充材料填充部分溝槽之后且在從溝槽去除印模裝置之前硬化溝槽填充材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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