[發(fā)明專利]線切割晶體X射線衍射定向切割方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110389566.4
• 申請(qǐng)日: 2011-11-30
• 公開（公告）號(hào): CN102490279A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳屹立;荊旭華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東方電氣集團(tuán)峨嵋半導(dǎo)體材料有限公司
• 主分類號(hào): B28D5/04
• 分類號(hào): B28D5/04
• 代理公司: 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214
• 代理人: 錢成岑;吳彥峰

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于晶體加工領(lǐng)域，尤其涉及定向切割方法。

背景技術(shù)

線切割定向與內(nèi)圓切割定向不同，內(nèi)圓切割定向可在垂直、水平兩個(gè)方向進(jìn)行兩維調(diào)節(jié)，而線切割定向則只能在水平方進(jìn)行調(diào)節(jié)，且不可切下頭片之后復(fù)測(cè)，尤其是對(duì)晶向要求比較高的晶體，極易產(chǎn)生錯(cuò)誤和偏差，而晶向偏離超出要求將導(dǎo)致整根晶體報(bào)廢。為此，線切割機(jī)廠家為每臺(tái)線切割機(jī)配備了專用的定向及調(diào)節(jié)設(shè)備（價(jià)格高達(dá)30萬(wàn)美元左右），在晶體上機(jī)時(shí)對(duì)晶體晶向偏離度進(jìn)行測(cè)量及調(diào)整。由于此配套定向切割裝置費(fèi)用極高，能否用現(xiàn)有的獨(dú)立定向設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體在線切割機(jī)上的定向切割，而且可以達(dá)到多臺(tái)線切割機(jī)和內(nèi)圓切割機(jī)共用一套定向設(shè)備，就成了急待解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是：針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，提出一種利用現(xiàn)有X射線衍射定向儀實(shí)現(xiàn)多臺(tái)線切割機(jī)和內(nèi)圓切割機(jī)共用一套定向設(shè)備的定向切割方法，大大減少設(shè)備費(fèi)用。

本發(fā)明目的通過(guò)下述技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)：

一種線切割晶體X射線衍射定向切割方法,依次包括以下步驟：

A）旋轉(zhuǎn)安放在X射線衍射儀平臺(tái)上的晶體尋找、確定0°衍射角，確定后保持晶體不動(dòng)在晶體端面過(guò)中心處作一水平軸Z，此軸即為粘接軸Z；

B）測(cè)出與粘接軸Z垂直方向的晶向偏離角度α，確定其相對(duì)粘接軸Z的左右偏離方向并標(biāo)記；

C）設(shè)一水平直線為標(biāo)準(zhǔn)線，保持粘接軸Z豎直方向，且晶體中軸線按照上述左右偏離方向位于標(biāo)準(zhǔn)線左/右側(cè)，調(diào)整晶體中軸線與標(biāo)準(zhǔn)線水平夾角為α，固定晶體并按標(biāo)準(zhǔn)線方向上機(jī)切割。

作為優(yōu)選方式，所述B步具體為：測(cè)出與粘接軸Z垂直方向的晶向偏離角度α后，在晶體端面該方向畫半徑線及偏離度α標(biāo)記，再旋轉(zhuǎn)晶體至粘接軸Z豎直即可由此確定其相對(duì)粘接軸Z的左右偏離方向。

作為優(yōu)選方式，所述C步具體為：首先將晶體按粘接軸Z方向垂直粘接在長(zhǎng)方體切透層上，晶體中軸線與切透層長(zhǎng)邊平行，然后在長(zhǎng)方體金屬托板頂端以其長(zhǎng)邊為標(biāo)準(zhǔn)線用角度儀按晶體偏離方向量出偏離度α，畫一直線標(biāo)記，再將粘接好的晶體其切透層長(zhǎng)邊沿此直線標(biāo)記粘接在金屬托板上，之后即可上機(jī)切割。

本發(fā)明的有益效果：利用現(xiàn)有激光定向儀即可實(shí)現(xiàn)多臺(tái)線切割機(jī)及內(nèi)圓切割機(jī)共用一套定向設(shè)備的定向切割方法，大大減少設(shè)備費(fèi)用，同時(shí)方法簡(jiǎn)單易操作，提高了工作效率。該工藝精度非常高（≦15′），適用于晶向要求≦30′。

附圖說(shuō)明

圖1是實(shí)施例1的晶體端面標(biāo)記示意圖；

圖2是實(shí)施例1的金屬托板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是實(shí)施例1的使用狀態(tài)示意圖；

圖4是實(shí)施例2的晶體端面標(biāo)記示意圖；

圖5是實(shí)施例2的使用狀態(tài)示意圖；

其中1為晶體、11為晶體端面、2為半徑線、3為切透層、31為切透層長(zhǎng)邊、4為托板、41為托板長(zhǎng)邊、5為直線標(biāo)記。

具體實(shí)施方式

下列非限制性實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明

實(shí)施例1：?

一種線切割晶體X射線衍射定向切割方法,依次包括以下步驟：

A）旋轉(zhuǎn)安放在X射線衍射儀平臺(tái)上的晶體1尋找、確定0°衍射角，確定后保持晶體1不動(dòng)在晶體端面11過(guò)中心處作一水平軸Z，此軸即為粘接軸Z；

B）如圖1所示，測(cè)出與粘接軸Z垂直方向的晶向偏離角度α后，得其偏離度α=3°，在晶體端面11該方向畫半徑線2及偏離度3°標(biāo)記，再旋轉(zhuǎn)晶體1至粘接軸Z豎直即可由此確定其相對(duì)粘接軸Z的偏離方向?yàn)橄蛴遥鐖D3所示；

C）如圖3所示，首先將晶體1按粘接軸Z方向垂直粘接在長(zhǎng)方體切透層3上，切透層3可以是樹脂、陶瓷、石墨等制成，晶體1中軸線與切透層3長(zhǎng)邊31平行，然后在長(zhǎng)方體金屬托板4頂端以其長(zhǎng)邊41為標(biāo)準(zhǔn)線用角度儀按晶體偏離方向量出偏離度3°，畫一直線標(biāo)記5，即以左長(zhǎng)邊向右偏離3°畫直線，再將粘接好的晶體1其切透層3長(zhǎng)邊31沿此直線標(biāo)記5粘接在金屬托板4上，如圖2所示，此時(shí)晶體中軸線按照上述右偏離方向位于標(biāo)準(zhǔn)線右側(cè)并偏離角度3°，固定晶體1并按長(zhǎng)邊41方向上機(jī)切割。

實(shí)施例2：?

一種線切割晶體X射線衍射定向切割方法,依次包括以下步驟：

A）旋轉(zhuǎn)安放在X射線衍射儀平臺(tái)上的晶體1尋找、確定0°衍射角，確定后保持晶體1不動(dòng)在晶體端面11過(guò)中心處作一水平軸Z，此軸即為粘接軸Z；