[發明專利]線切割晶體X射線衍射定向切割方法

有效

• 申請號: 201110389566.4
• 申請日: 2011-11-30
• 公開（公告）號: CN102490279A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 陳屹立;荊旭華
• 申請（專利權）人: 東方電氣集團峨嵋半導體材料有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214
• 代理人: 錢成岑;吳彥峰

1.一種線切割晶體X射線衍射定向切割方法,其特征在于依次包括以下步驟：

A）旋轉安放在X射線衍射儀平臺上的晶體尋找、確定0°衍射角，確定后保持晶體不動在晶體端面過中心處作一水平軸Z，此軸即為粘接軸Z；

B）測出與粘接軸Z垂直方向的晶向偏離角度α，確定其相對粘接軸Z的左右偏離方向并標記；

C）設一水平直線為標準線，保持粘接軸Z豎直方向，且晶體中軸線按照上述左右偏離方向位于標準線左/右側，調整晶體中軸線與標準線水平夾角為α，固定晶體并按標準線方向上機切割。

2.如權利要求1所述的線切割晶體激光儀定向切割方法,其特征在于：所述B步具體為：測出與粘接軸Z垂直方向的晶向偏離角度α后，在晶體端面該方向畫半徑線及偏離度α標記，再旋轉晶體至粘接軸Z豎直即可由此確定其相對粘接軸Z的左右偏離方向。

3.如權利要求1或2所述的線切割晶體激光儀定向切割方法,其特征在于：所述C步具體為：首先將晶體按粘接軸Z方向垂直粘接在長方體切透層上，晶體中軸線與切透層長邊平行，然后在長方體金屬托板頂端以其長邊為標準線用角度儀按晶體偏離方向量出偏離度α，畫一直線標記，再將粘接好的晶體其切透層長邊沿此直線標記粘接在金屬托板上，之后即可上機切割。