[發明專利]線切割晶體作圖定向切割法

有效

• 申請號: 201110389561.1
• 申請日: 2011-11-30
• 公開（公告）號: CN102490277A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 陳屹立;荊旭華
• 申請（專利權）人: 東方電氣集團峨嵋半導體材料有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214
• 代理人: 錢成岑;吳彥峰

技術領域

本發明屬于晶體加工領域，尤其涉及定向切割方法。

背景技術

線切割定向與內圓切割定向不同，內圓切割定向可在垂直、水平兩個方向進行兩維調節，而線切割定向則只能在水平方進行調節，且不可切下頭片之后復測，尤其是對晶向要求比較高的晶體，極易產生錯誤和偏差，而晶向偏離超出要求將導致整根晶體報廢。為此，線切割機廠家為每臺線切割機配備了專用的定向及調節設備（價格高達30萬美元左右），在晶體上機時對晶體晶向偏離度進行測量及調整。由于此配套定向切割裝置費用極高，能否用現有的獨立定向設備來實現晶體在線切割機上的定向切割，而且可以達到多臺線切割機和內圓切割機共用一套定向設備，就成了急待解決的問題。

發明內容

本發明要解決的技術問題是：針對現有技術存在的問題，提出一種利用現有X射線衍射定向儀實現多臺線切割機和內圓切割機共用一套定向設備的定向切割方法，大大減少設備費用。

本發明目的通過下述技術方案來實現：

一種線切割晶體作圖定向切割法,步驟依次包括：

A）在晶體端面作任意兩條過中心的垂直交叉直線X軸與Y軸，通過X射線衍射儀分別測出兩條軸線方向上的晶向偏離度；

B）采用分量合成方法在晶體端面作出晶體總的晶向偏離方向，偏離角度值為S=???????????????????????????????????????????????；

C）作一條過中心且與總的晶向偏離方向垂直的直線，以此直線為粘接軸Z，并確定總的晶向偏離方向相對粘接軸Z的左右偏離方向；

D)?設一水平直線為標準線，保持粘接軸Z豎直方向，且晶體中軸線按照上述左右偏離方向向標準線左/右側偏轉，調整晶體中軸線與標準線水平夾角為S，固定晶體并按標準線方向上機切割。

作為優選方式，所述D步具體為：首先將晶體按粘接軸Z方向垂直粘接在長方體切透層上，晶體中軸線與切透層長邊平行，然后在長方體金屬托板頂端以其長邊為標準線用角度儀按晶體偏離方向量出偏離度S，畫一直線標記，再將粘接好的晶體其切透層長邊沿此直線標記粘接在金屬托板上，之后即可上機切割。

本發明的有益效果：利用現有激光定向儀即可實現多臺線切割機及內圓切割機共用一套定向設備的定向切割方法，大大減少設備費用，同時方法簡單易操作，提高了工作效率。精度較高（≦1°），適用于晶向要求≦1°，X射線輻射時間短。

附圖說明

圖1是實施例1的晶體端面標記示意圖；

圖2是實施例1的金屬托板結構示意圖；

圖3是實施例1的使用狀態示意圖；

圖4是實施例2的使用狀態示意圖；

其中1為晶體、11為晶體端面、3為切透層、31為切透層長邊、4為托板、41為托板長邊、5為直線標記。

具體實施方式

下列非限制性實施例用于說明本發明

實施例1?

一種線切割晶體作圖定向切割法,步驟依次包括：

A）在晶體端面11作任意兩條過中心的垂直交叉直線X軸與Y軸，通過X射線衍射儀分別測出兩條軸線方向上的晶向偏離度；

B）采用分量合成方法在晶體端面11作出晶體1總的晶向偏離方向，偏離角度值為S=；

C）作一條過中心且與總的晶向偏離方向垂直的直線，以此直線為粘接軸Z，由于總的晶向偏離方向位于第一象限，此時總的晶向偏離方向位于粘接軸Z右側，因此其相對粘接軸Z的偏離方向向右，如圖1所示；

D)?設一水平直線為標準線，保持粘接軸Z豎直方向，且晶體1中軸線按照上述右偏離方向向標準線右側偏轉，調整晶體1中軸線與標準線水平夾角為S，固定晶體1并按標準線方向上機切割。作為優選方式，如本實施例圖1所示：首先將晶體1按粘接軸Z方向垂直粘接在長方體切透層3上，切透層3可以是樹脂、陶瓷、石墨等制成，晶體1中軸線與切透層3長邊31平行，然后在長方體金屬托板4頂端以其長邊41為標準線用角度儀按晶體偏離方向量出偏離度S，畫一直線標記5，即以左長邊向右偏離S畫直線，再將粘接好的晶體1其切透層3長邊31沿此直線標記5粘接在金屬托板4上，如圖2所示，此時晶體中軸線按照上述右偏離方向位于標準線右側并偏離角度S，固定晶體1并按長邊41方向上機切割，如圖3所示。

實施例2?

如圖4所示，一種線切割晶體作圖定向切割法,步驟依次包括：

A）在經堿腐蝕處理的晶體端面11作任意兩條過中心的垂直交叉直線X軸與Y軸，通過X射線衍射儀分別測出兩條軸線方向上的晶向偏離度；