[發(fā)明專(zhuān)利]線切割晶體作圖定向切割法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110389561.1
• 申請(qǐng)日: 2011-11-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102490277A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳屹立;荊旭華
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 東方電氣集團(tuán)峨嵋半導(dǎo)體材料有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): B28D5/04
• 分類(lèi)號(hào): B28D5/04
• 代理公司: 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214
• 代理人: 錢(qián)成岑;吳彥峰

1.一種線切割晶體作圖定向切割法,其特征在于步驟依次包括：

A）在晶體端面作任意兩條過(guò)中心的垂直交叉直線X軸與Y軸，通過(guò)X射線衍射儀分別測(cè)出兩條軸線方向上的晶向偏離度；

B）采用分量合成方法在晶體端面作出晶體總的晶向偏離方向，偏離角度值為S=???????????????????????????????????????????????；

C）作一條過(guò)中心且與總的晶向偏離方向垂直的直線，以此直線為粘接軸Z，并確定總的晶向偏離方向相對(duì)粘接軸Z的左右偏離方向；

D)?設(shè)一水平直線為標(biāo)準(zhǔn)線，保持粘接軸Z豎直方向，且晶體中軸線按照上述左右偏離方向向標(biāo)準(zhǔn)線左/右側(cè)偏轉(zhuǎn)，調(diào)整晶體中軸線與標(biāo)準(zhǔn)線水平夾角為S，固定晶體并按標(biāo)準(zhǔn)線方向上機(jī)切割。

2.如權(quán)利要求1所述的線切割晶體作圖定向切割法，其特征在于：所述D步具體為：首先將晶體按粘接軸Z方向垂直粘接在長(zhǎng)方體切透層上，晶體中軸線與切透層長(zhǎng)邊平行，然后在長(zhǎng)方體金屬托板頂端以其長(zhǎng)邊為標(biāo)準(zhǔn)線用角度儀按晶體偏離方向量出偏離度S，畫(huà)一直線標(biāo)記，再將粘接好的晶體其切透層長(zhǎng)邊沿此直線標(biāo)記粘接在金屬托板上，之后即可上機(jī)切割。