[發明專利]一種采用COB工藝的LED燈板

有效

• 申請號: 201110388831.7
• 申請日: 2011-11-30
• 公開（公告）號: CN102395236A
• 公開（公告）日: 2012-03-28
• 發明（設計）人: 張高柏;陳衛平
• 申請（專利權）人: 陳衛平
• 主分類號: H05B37/02
• 分類號: H05B37/02
• 代理公司: 北京方韜法業專利代理事務所 11303
• 代理人: 遆俊臣

技術領域

本發明涉及LED照明器具領域，特別是涉及一種采用COB(Chip?on?Board，芯片邦定在基板上)工藝的LED燈板。

背景技術

COB是現有應用較為廣泛的LED燈板封裝工藝，但是，由于現有的燈板驅動部件零件數量較多、體積較大，大都作為獨立安裝的部件來設計，因此，通常只能將LED裸片(LED?Chip)邦定在基板上，而驅動部件與燈板完全分離，無法用COB工藝將它們邦定在一起。

上述現有的LED?COB燈板，都是工作在低壓狀態(工作電壓從幾伏至十幾伏)，雖可滿足LED發光部件的基本要求，但是其技術指標，例如功率因數、諧波及EMC(電磁兼容)等都非常差，在實際使用時，對電網會造成很大影響。因此，使用會受到很大的局限性，在要求高的環境及大面積使用還會帶來嚴重的后果。

由此可見，上述現有的LED燈板在結構與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。如何能創設一種適于高要求使用環境及大面積應用的新型結構的采用COB工藝的LED燈板，實屬當前本領域的重要改進目標之一。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種采用COB工藝的LED燈板，使其適于高要求使用環境及大面積應用，從而克服現有LED燈板的不足。

為解決上述技術問題，本發明一種采用COB工藝的LED燈板，包括基板以及以COB工藝封裝在所述基板上的LED裸片和交流驅動芯片裸片，所述交流驅動芯片裸片與所述LED裸片通過電路連接。

作為本發明的一種改進，所述的交流驅動芯片裸片包括電壓輸入模塊、電壓分配模塊以及多組緩沖-電壓比較模塊和半導體場效應晶體管MOSFET，其中：第一個MOSFET的源極與地電位連接，柵極直接連接于本組緩沖-電壓比較模塊的一個輸入端、同時連接于電壓輸入模塊的輸出端，漏極作為驅動芯片的輸出端連接至LED裸片的串聯線路上；其它MOSFET的源極通過能夠等效為電阻的元件組與地電位連接，柵極連接于本組緩沖-電壓比較模塊的一個輸入端、同時連接于前一組緩沖-電壓比較模塊的輸出端，漏極作為驅動芯片的輸出端連接至LED裸片的串聯線路上；上述緩沖-電壓比較模塊的另一輸入端與電壓分配模塊連接；電壓輸入模塊的輸出端還與LED裸片串聯線路的起始端連接，并通過電壓分配模塊連接于地電位。

所述的電壓輸入模塊為半導體場效應晶體管，其柵極與外部電壓輸入端連接，漏極經能夠等效為電阻的元件組連接于地電位，源極即為電壓輸入模塊的輸出端。

所述的交流驅動芯片裸片還包括功率因數校正電路，該功率因數校正電路為三極管，其集電極通過一個正向連接的二極管與電壓輸入模塊的柵極連接、并通過電感與外部電壓輸入端連接，發射極通過反向連接的二極管與地電位連接。

所述的半導體場效應晶體管MOSFET為V型槽場效應晶體管VMOS。

所述的電壓輸入模塊為增強型金屬-氧化層-半導體場效應晶體管。

采用這樣的設計后，本發明將LED?Chip(LED裸片)和Drive?IC?Chip(驅動集成電路芯片)一同邦定在基板上，彌補了現有LED?COB燈板的缺陷，功率因數達0.95以上、總諧波(THD)≤20％、電磁兼容符合EN55015、EN61547等國際標準，適于各種高要求使用環境及大面積應用。

附圖說明

上述僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段，以下結合附圖與具體實施方式對本發明作進一步的詳細說明。

圖1是本發明一種采用COB工藝的LED燈板的LED裸片電路原理圖。

圖2是本發明一種采用COB工藝的LED燈板的交流驅動芯片裸片與LED裸片的電路連接圖。

圖3是本發明采用COB工藝的LED燈板的交流驅動芯片裸片的電路圖。

具體實施方式

本發明一種采用COB工藝的LED燈板，包括基板以及以COB工藝封裝在所述基板上的LED裸片和交流驅動芯片裸片，請參閱圖1、圖2所示，所述交流驅動芯片裸片與所述LED裸片通過電路連接。

請配合參閱圖3所示，本發明所使用的交流驅動芯片主要包括電壓輸入模塊、電壓分配模塊以及多組緩沖-電壓比較模塊21和半導體場效應晶體管MOSFET?Q1-Qn。