[發(fā)明專(zhuān)利]內(nèi)層電介質(zhì)沉積方法、集成電路制造方法以及集成電路

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110388538.0
• 申請(qǐng)日: 2011-11-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102427035A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-04-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王灼平;沈璽
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/31
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/31;H01L21/314
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種內(nèi)層電介質(zhì)沉積方法，其特征在于包括步驟：

提供形成有半導(dǎo)體器件的晶片；

在晶片上沉積氮氧化硅S_iON；以及

沉積內(nèi)層電介質(zhì)層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)層電介質(zhì)沉積方法，其特征在于，在所述在晶片上沉積氮氧化硅S_iON的步驟中，沉積的氮氧化硅層厚度為300～500埃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的內(nèi)層電介質(zhì)沉積方法，其特征在于，在所述在晶片上沉積氮氧化硅S_iON的步驟中，沉積氮氧化硅的沉積工藝參數(shù)溫度400攝氏度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的內(nèi)層電介質(zhì)沉積方法，其特征在于，在所述沉積內(nèi)層電介質(zhì)層步驟中，所沉積的內(nèi)層電介質(zhì)層是摻有硼和磷的硅玻璃層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的內(nèi)層電介質(zhì)沉積方法，其特征在于，所述沉積內(nèi)層電介質(zhì)層的步驟包括：在射頻偏置功率為3000瓦或4000瓦下執(zhí)行高密度等離子體沉積。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的內(nèi)層電介質(zhì)沉積方法，其特征在于，內(nèi)層電介質(zhì)沉積方法用于硅鍺工藝。

7.一種集成電路制造方法，其特征在于采用了根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的內(nèi)層電介質(zhì)沉積方法。

8.一種根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路制造方法制造的集成電路。