[發(fā)明專利]一種減輕晶圓切割應(yīng)力破壞的晶圓結(jié)構(gòu)及版圖設(shè)計方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110388108.9
• 申請日: 2011-11-30
• 公開（公告）號: CN103137567A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許喆;洪文田;張建偉
• 申請（專利權(quán)）人: 和艦科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L27/02;G06F17/50
• 代理公司: 北京連和連知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11278
• 代理人: 賀小明

1.一種減輕晶圓切割應(yīng)力破壞的晶圓結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述晶圓結(jié)構(gòu)包括高密度金屬層和位于其上方的氧化物鈍化保護層，所述氧化物鈍化保護層包括無圖形連線的金屬層和位于所述無圖形連線的金屬層上方的研磨墊層；

所述晶圓結(jié)構(gòu)還包括開窗和金屬偽器件，所述開窗設(shè)置在所述晶圓結(jié)構(gòu)的特征圖形上方的氧化物鈍化保護層上，所述金屬偽器件設(shè)置在所述晶圓結(jié)構(gòu)的無圖形連線的金屬層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述開窗設(shè)置在所述研磨墊上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述開窗的區(qū)域邊界位于所述高密度金屬層和頂層金屬層的區(qū)域邊界內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述開窗的寬度配置為小于或等于測試鍵墊層窗口的寬度，同時大于切割時的切割寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任意一項權(quán)利要求所述的晶圓結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬偽器件的長和寬與位于其下方的高密度金屬層的長和寬相等。

6.一種減輕晶圓切割應(yīng)力破壞的版圖設(shè)計方法，其特征在于，所述晶圓包括高密度金屬層和位于其上方的氧化物鈍化保護層，所述氧化物鈍化保護層包括無圖形連線的金屬層和位于所述無圖形連線的金屬層上方的研磨墊層；

在所述晶圓的特征圖形上方的氧化物鈍化保護層設(shè)置開窗，并在無圖形連線的金屬層增加金屬偽器件。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的版圖設(shè)計方法，其特征在于，將所述開窗設(shè)置在所述研磨墊層上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的版圖設(shè)計方法，其特征在于，將所述開窗的區(qū)域邊界配置為位于所述高密度金屬層和頂層金屬層的區(qū)域邊界內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的版圖設(shè)計方法，其特征在于，將所述開窗的寬度配置為小于或等于測試鍵墊層窗口的寬度，同時大于切割時的切割寬度。

10.根據(jù)權(quán)利要求6-9中任意一項權(quán)利要求所述的版圖設(shè)計方法，其特征在于，將所述金屬偽器件的長和寬配置為與位于其下方的高密度金屬層的長和寬相等。