[發明專利]放射線檢測器、其制造方法和放射線攝影圖像拍攝設備有效
| 申請號： | 201110387989.2 | 申請日： | 2011-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN102551758A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 成行書史;阿賀野俊孝;大田恭義;中津川晴康 | 申請（專利權）人： | 富士膠片株式會社 |
| 主分類號： | A61B6/00 | 分類號： | A61B6/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 李輝;黃綸偉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 放射線 檢測器 制造 方法 攝影 圖像 拍攝 設備 | ||
1.一種放射線檢測器(70)，該放射線檢測器(70)包括用于將放射線(16)轉換為可見光的閃爍體(74)和用于將所述可見光轉換為電荷的光電二極管(76)，其中：
如果假定用A[％/K]表示所述閃爍體(74)針對所述放射線(16)的靈敏度的溫度依賴變化率并且用B[％/K]表示所述光電二極管(76)針對所述可見光的靈敏度的溫度依賴變化率，則溫度依賴變化率A和B滿足以下不等式(1)：
-0.35[％/K]＜A+B＜0.35[％/K]...(1)。
2.根據權利要求1所述的放射線檢測器(70)，其中，A＜0并且B＞0。
3.根據權利要求2所述的放射線檢測器(70)，其中，A＜-0.2。
4.根據權利要求1所述的放射線檢測器(70)，其中，所述閃爍體(74)由CsI制成，所述光電二極管(76)由非晶硅制成。
5.一種制造放射線檢測器(70)的方法，所述放射線檢測器(70)包括用于將放射線(16)轉換為可見光的閃爍體(74)和用于將所述可見光轉換為電荷的光電二極管(76)，該方法包括以下步驟：
測量所述閃爍體(74)針對所述放射線(16)的靈敏度的溫度依賴變化率；以及
如果假定用A[％/K]表示所述閃爍體(74)針對所述放射線(16)的靈敏度的溫度依賴變化率，則選擇針對所述可見光的靈敏度的溫度依賴變化率B[％/K]滿足以下不等式(1)的光電二極管作為所述光電二極管(76)：
-0.35[％/K]＜A+B＜0.35[％/K]...(1)。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，如果A＜0，則選擇B＞0的光電二極管作為所述光電二極管(76)。
7.根據權利要求6所述的方法，其中，選擇A＜-0.2的閃爍體作為所述閃爍體(74)。
8.根據權利要求5所述的方法，其中，選擇CsI作為所述閃爍體(74)的材料，并且選擇非晶硅作為所述光電二極管(76)的材料。
9.根據權利要求5所述的方法，其中，在750℃到900℃的溫度范圍內將所述閃爍體(74)生長為膜。
10.一種制造放射線檢測器(70)的方法，所述放射線檢測器(70)包括用于將放射線(16)轉換為可見光的閃爍體(74)和用于將所述可見光轉換為電荷的光電二極管(76)，該方法包括以下步驟：
測量所述光電二極管(76)針對所述可見光的靈敏度的溫度依賴變化率；以及
如果假定用B[％/K]表示所述光電二極管(76)針對所述可見光的靈敏度的溫度依賴變化率，則選擇針對放射線(16)的靈敏度的溫度依賴變化率A[％/K]滿足以下不等式(1)的閃爍體作為所述閃爍體(74)：
-0.35[％/K]＜A+B＜0.35[％/K]...(1)。
11.根據權利要求10所述的方法，其中，如果B＞0，則選擇A＜0的閃爍體作為所述閃爍體(74)。
12.根據權利要求11所述的方法，其中，選擇A＜-0.2的閃爍體作為所述閃爍體(74)。
13.根據權利要求10所述的方法，其中，選擇CsI作為所述閃爍體(74)的材料，并且選擇非晶硅作為所述光電二極管(76)的材料。
14.根據權利要求10所述的方法，其中，在750℃到900℃的溫度范圍內將所述閃爍體(74)生長為膜。
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