[發(fā)明專利]晶片缺陷掃描調(diào)度的方法和系統(tǒng)

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110386281.5
• 申請(qǐng)日: 2011-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN102437072A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王洲男;龍吟;倪棋梁;陳宏璘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 隆天國際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 張?jiān)≡?張志杰

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種晶片缺陷掃描的方法和系統(tǒng)。

背景技術(shù)

隨著集成電路器件尺寸不斷縮小，工藝過程的復(fù)雜度不斷提高，缺陷掃描成為整個(gè)生產(chǎn)過程中尤為重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，也是重點(diǎn)難點(diǎn)集中的一個(gè)關(guān)鍵體系。目前，各種生產(chǎn)機(jī)臺(tái)(Process?EQ)的生產(chǎn)時(shí)間都越來越快，為了減少發(fā)生故障的生產(chǎn)機(jī)臺(tái)對(duì)線上晶片的不良影響以及減少影響時(shí)間，進(jìn)一步提高晶片良率，在線的缺陷掃描和及時(shí)找到缺陷問題的根源，并進(jìn)行快速處理就顯得非常重要。

目前晶片生產(chǎn)線上缺陷掃描站點(diǎn)的堆貨和跳貨現(xiàn)象極為普遍，大量的堆貨和跳貨影響了整個(gè)晶片生產(chǎn)流程的速率，對(duì)晶片品質(zhì)的保證有著不良的影響，因此，對(duì)于缺陷掃描站點(diǎn)的負(fù)載預(yù)估就顯得尤為重要。

發(fā)明內(nèi)容

為了避免晶片生產(chǎn)線上缺陷掃描站點(diǎn)的堆貨和跳貨現(xiàn)象的發(fā)生，保證晶片生產(chǎn)流程的速率和晶片的品質(zhì)，本發(fā)明提供了一種晶片缺陷掃描調(diào)度的方法和系統(tǒng)，技術(shù)方案如下：

一種晶片缺陷掃描調(diào)度的方法，包括：

確定生產(chǎn)機(jī)臺(tái)組的作業(yè)時(shí)間及所述作業(yè)時(shí)間內(nèi)的晶片產(chǎn)能；

確定缺陷掃描站點(diǎn)的掃描產(chǎn)能和抽檢率；

根據(jù)所述作業(yè)時(shí)間、所述晶片產(chǎn)能、所述掃描產(chǎn)能以及所述抽檢率調(diào)度所述晶片以進(jìn)行晶片缺陷掃描。

一種晶片缺陷掃描調(diào)度的系統(tǒng)，包括：

第一確定模塊，用于確定生產(chǎn)機(jī)臺(tái)組的作業(yè)時(shí)間及所述作業(yè)時(shí)間內(nèi)的晶片產(chǎn)能；

第二確定模塊，用于確定缺陷掃描站點(diǎn)的掃描產(chǎn)能；

調(diào)度模塊，用于根據(jù)所述作業(yè)時(shí)間、所述晶片產(chǎn)能、所述掃描產(chǎn)能以及所述抽檢率調(diào)度所述晶片以進(jìn)行晶片缺陷掃描。

本發(fā)明的技術(shù)方案通過確定生產(chǎn)機(jī)臺(tái)組的作業(yè)時(shí)間以及在該作業(yè)時(shí)間內(nèi)的晶片產(chǎn)能，并結(jié)合缺陷掃描站點(diǎn)的掃描產(chǎn)能和抽檢率，能夠預(yù)先分析缺陷掃描站點(diǎn)的未來負(fù)載，進(jìn)而調(diào)度晶片以進(jìn)行晶片的缺陷掃描，可以合理地利用缺陷掃描站點(diǎn)的掃描產(chǎn)能，避免了晶片生產(chǎn)線上堆貨和跳貨現(xiàn)象的發(fā)生，保證了晶片的生產(chǎn)流程的速率，縮短了晶片的生產(chǎn)周期，達(dá)到了缺陷掃描站點(diǎn)的掃描產(chǎn)能和晶片品質(zhì)的雙贏效果。

通過以下參照附圖對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例的說明，本申請(qǐng)的上述以及其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更加明顯。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明的晶片缺陷掃描調(diào)度的方法的流程圖；

圖2所示為生產(chǎn)機(jī)臺(tái)組作業(yè)時(shí)間內(nèi)產(chǎn)能的示意圖；

圖3所示為缺陷掃描站點(diǎn)的掃描產(chǎn)能的示意圖；

圖4所示為根據(jù)本發(fā)明的晶片缺陷掃描調(diào)度的系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)注意，這里描述的實(shí)施例只用于舉例說明，并不用于限制本發(fā)明。

本發(fā)明提供了一種晶片缺陷掃描調(diào)度的方法，如圖1所示，包括：步驟

步驟101，確定生產(chǎn)機(jī)臺(tái)組的作業(yè)時(shí)間及作業(yè)時(shí)間內(nèi)的晶片產(chǎn)能。

步驟102，確定缺陷掃描站點(diǎn)的掃描產(chǎn)能和抽檢率。

步驟103，根據(jù)該作業(yè)時(shí)間、該晶片產(chǎn)能、該掃描產(chǎn)能以及該抽檢率調(diào)度晶片以進(jìn)行晶片缺陷掃描。

進(jìn)一步地，步驟103包括：當(dāng)晶片產(chǎn)能大于缺陷掃描站點(diǎn)在作業(yè)時(shí)間內(nèi)掃描的晶片數(shù)量時(shí)，調(diào)高掃描產(chǎn)能和/或調(diào)低抽檢率，并根據(jù)調(diào)高的掃描產(chǎn)能和/或調(diào)低的抽檢率調(diào)度晶片以進(jìn)行晶片缺陷掃描。其中，該調(diào)高的掃描產(chǎn)能為最大掃描產(chǎn)能。

進(jìn)一步地，步驟103包括：當(dāng)晶片產(chǎn)能小于缺陷掃描站點(diǎn)在作業(yè)時(shí)間內(nèi)掃描的晶片數(shù)量時(shí)，調(diào)低掃描產(chǎn)能和/或調(diào)高抽檢率，并根據(jù)調(diào)低的掃描產(chǎn)能和/或調(diào)高的抽檢率調(diào)度晶片以進(jìn)行晶片缺陷掃描。其中，該調(diào)高的抽檢率為最大抽檢率。

下面結(jié)合具體的情況對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述。

第一種情況：

如圖2所示，生產(chǎn)機(jī)臺(tái)每小時(shí)的產(chǎn)能為1批晶片，同類型的生產(chǎn)機(jī)臺(tái)共有5臺(tái)，這5臺(tái)生產(chǎn)機(jī)臺(tái)稱為生產(chǎn)機(jī)臺(tái)組A，則生產(chǎn)機(jī)臺(tái)組A的每小時(shí)產(chǎn)能為5批/小時(shí)，當(dāng)前生產(chǎn)機(jī)臺(tái)組A的預(yù)估產(chǎn)能為20批晶片，也就意味著在這4小時(shí)之內(nèi)將有20批晶片可能會(huì)進(jìn)入缺陷掃描站點(diǎn)進(jìn)行缺陷掃描。通常而言，每批晶片有25個(gè)晶片，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，每批晶片的需要缺陷掃描的數(shù)量可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不限于此。需要說明的是，關(guān)于生產(chǎn)機(jī)臺(tái)組A只是為了舉例需要，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不限于此。