[發明專利]晶片缺陷掃描調度的方法和系統無效
| 申請號： | 201110386281.5 | 申請日： | 2011-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN102437072A | 公開（公告）日： | 2012-05-02 |
| 發明（設計）人： | 王洲男;龍吟;倪棋梁;陳宏璘 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 張浴月;張志杰 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶片 缺陷 掃描 調度 方法 系統 | ||
1.一種晶片缺陷掃描調度的方法，其特征在于，包括：
確定生產機臺組的作業時間及所述作業時間內的晶片產能；
確定缺陷掃描站點的掃描產能和抽檢率；
根據所述作業時間、所述晶片產能、所述掃描產能以及所述抽檢率調度所述晶片以進行晶片缺陷掃描。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，根據所述作業時間、所述晶片產能、所述掃描產能以及所述抽檢率調度所述晶片以進行晶片缺陷掃描的步驟包括：
當所述晶片產能大于所述缺陷掃描站點在所述作業時間內掃描的晶片數量時，調高所述掃描產能和/或調低所述抽檢率，并根據所述調高的掃描產能和/或所述調低的抽檢率調度所述晶片以進行晶片缺陷掃描。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述調高的掃描產能為最大掃描產能。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，根據所述作業時間、所述晶片產能、所述掃描產能以及所述抽檢率調度所述晶片以進行晶片缺陷掃描的步驟包括：
當所述晶片產能小于所述缺陷掃描站點在所述作業時間內掃描的晶片數量時，調低所述掃描產能和/或調高所述抽檢率，并根據所述調低的掃描產能和/或所述調高的抽檢率調度所述晶片以進行晶片缺陷掃描。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述調高的抽檢率為最大抽檢率。
6.一種晶片缺陷掃描調度的系統，其特征在于，包括：
第一確定模塊，用于確定生產機臺組的作業時間及所述作業時間內的晶片產能；
第二確定模塊，用于確定缺陷掃描站點的掃描產能；
調度模塊，用于根據所述作業時間、所述晶片產能、所述掃描產能以及所述抽檢率調度所述晶片以進行晶片缺陷掃描。
7.根據權利要求6所述的系統，其特征在于，所述調度模塊，具體用于當所述晶片產能大于所述缺陷掃描站點在所述作業時間內掃描的晶片數量時，調高所述掃描產能和/或調低所述抽檢率，并根據所述調高的掃描產能和/或所述調低的抽檢率調度所述晶片以進行晶片缺陷掃描。
8.根據權利要求7所述的系統，其特征在于，所述調高的掃描產能為最大掃描產能。
9.根據權利要求6所述的系統，其特征在于，所述調度模塊，具體用于當所述晶片產能小于所述缺陷掃描站點在所述作業時間內掃描的晶片數量時，調低所述掃描產能和/或調高所述抽檢率，并根據所述調低的掃描產能和/或所述調高的抽檢率調度所述晶片以進行晶片缺陷掃描。
10.根據權利要求9所述的系統，其特征在于，所述調高的抽檢率為最大抽檢率。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
