[發明專利]顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201110385428.9
• 申請日: 2011-11-28
• 公開（公告）號: CN102486917A
• 公開（公告）日: 2012-06-06
• 發明（設計）人: 裵良浩;徐五成;樸帝亨;金湘甲
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36;G02F1/136;G02F1/1368;G02F1/1343
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

相關申請交叉引證

本申請要求于2010年12月2日提交的第10-2010-0122279號韓國專利申請的優先權，其全部內容以引證方式結合于此。

技術領域

本發明涉及一種顯示裝置及該顯示裝置的制造方法。

背景技術

通常，根據液晶層的驅動方法，液晶顯示器被分為面內切換(in-plane?switching，IPS)模式液晶顯示器、垂直配向(VA)模式液晶顯示器、以及面線切換(plane-to-line?switching，PLS)模式液晶顯示器。

PLS模式液晶顯示器利用水平電場和豎直電場驅動液晶層中的液晶分子。根據PLS模式液晶顯示器，液晶層中的液晶分子被邊緣電場基本平行于基板地轉動。

發明內容

本發明的實施方式提供一種具有改進的顯示質量的顯示裝置，顯示裝置包括：第一絕緣基板；第二絕緣基板，面對第一絕緣基板；多個像素，設置在第一絕緣基板上，均包括：柵電極，設置于第一絕緣基板上；柵極絕緣層，設于第一絕緣基板上以覆蓋柵電極；半導體圖案，設置于柵極絕緣層上以與柵電極重疊；源電極，設于半導體圖案上；漏電極，設于半導體圖案上以與源電極隔開；透明像素電極，包括第一像素電極和第二像素電極，第一像素電極設于柵極絕緣層上并且部分地與漏電極接觸，第二像素電極覆蓋第一像素電極；公共電極，設置于第一絕緣基板或第二絕緣基板上以與像素電極一起形成電場，第一像素電極包括至少包含銦的導電金屬氧化物層，第二像素電極包括不包含銦的導電金屬氧化物層。

本發明的實施方式提供一種該顯示裝置的制造方法包括：在第一絕緣基板上形成第一導電層；將所述第一導電層圖案化以形成柵電極；在所述第一絕緣基板上形成柵極絕緣層以覆蓋所述柵電極；在所述柵極絕緣層上順序地形成半導體材料和第二導電層；對所述半導體材料和所述第二導電層圖案化以形成半導體圖案、源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極形成于所述半導體圖案上并且彼此隔開以露出所述半導體圖案的一部分；在所述柵極絕緣層上順序地形成第一透明導電金屬氧化物層和第二透明導電金屬氧化物層；對所述第一透明導電金屬氧化物層和所述第二透明導電金屬氧化物層圖案化，以便露出所述半導體圖案的所述一部分并且形成連接于所述漏電極的像素電極；利用包含氫源的等離子體或者包含氫和氮源的等離子體對所述第一絕緣基板進行等離子體處理；以及形成保護層以覆蓋所述像素電極，其中，所述第一透明導電金屬氧化物層包括至少包含銦的導電金屬氧化物層，并且所述第二透明導電金屬氧化物層包括不包含銦的導電金屬氧化物層。

根據實施方式，顯示裝置包括第一絕緣基板、面對第一絕緣基板的第二絕緣基板、以及設置于第一絕緣基板上的多個像素。

每個像素均包括薄膜晶體管、像素電極、保護層以及公共電極。薄膜晶體管包括柵電極、柵極絕緣層、半導體圖案、源電極以及漏電極。

柵電極設置于第一絕緣基板上。柵極絕緣層設置于第一絕緣基板上以覆蓋柵電極。半導體圖案設置于柵極絕緣層上以與柵電極重疊。源電極設置于半導體圖案上，并且漏電極設置于半導體圖案上以與源電極隔開。

像素電極包括第一像素電極和第二像素電極。第一像素電極設置于柵極絕緣層上并且部分地與漏電極接觸。第二像素電極覆蓋第一像素電極。

公共電極設置于第一絕緣基板或第二絕緣基板上以與像素電極一起形成電場。第一像素電極包括至少包含銦的導電金屬氧化物層，并且第二像素電極包括不包含銦的導電金屬氧化物層。

第一像素電極和第二像素電極包括錫和鋅中的至少一種。源電極和漏電極中的每一個均具有包含鎳、鉻、鉬、鋁、鈦、銅、鎢或其合金的單層結構或者多層結構。

公共電極包括主分支部以及從主分支部伸出且彼此隔開的多個子分支部。公共電極設置于第一絕緣基板與柵極絕緣層之間，并且與柵電極絕緣，或者公共電極設置于第二絕緣基板上。