[發明專利]顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201110385428.9
• 申請日: 2011-11-28
• 公開（公告）號: CN102486917A
• 公開（公告）日: 2012-06-06
• 發明（設計）人: 裵良浩;徐五成;樸帝亨;金湘甲
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36;G02F1/136;G02F1/1368;G02F1/1343
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種顯示裝置，包括：

第一絕緣基板；

第二絕緣基板，面對所述第一絕緣基板；以及

多個像素，設置在所述第一絕緣基板上，每個像素均包括：

柵電極，設置于所述第一絕緣基板上；

柵極絕緣層，設置于所述第一絕緣基板上以覆蓋所述柵電極；

半導體圖案，設置于所述柵極絕緣層上以與所述柵電極重疊；

源電極，設置于所述半導體圖案上；

漏電極，設置于所述半導體圖案上以與所述源電極隔開；

透明像素電極，包括第一像素電極和第二像素電極，所述第一像素電極設置于所述柵極絕緣層上并且部分地與所述漏電極接觸，所述第二像素電極覆蓋所述第一像素電極；以及

公共電極，設置于所述第一絕緣基板或所述第二絕緣基板上以與所述像素電極一起形成電場，其中，所述第一像素電極包括至少包含銦的導電金屬氧化物層，并且所述第二像素電極包括不包含銦的導電金屬氧化物層。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一像素電極和所述第二像素電極中的每一個包括錫或鋅中的至少一種。

3.根據權利要求2所述的顯示裝置，其中，所述第二像素電極包括包含鋁、鍺和鎵中的至少一種的摻雜劑。

4.根據權利要求3所述的顯示裝置，其中，所述第二像素電極中的摻雜劑濃度為金屬氧化物的質量分數5％以下。

5.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一像素電極比所述第二像素電極薄。

6.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述源電極和所述漏電極中的每一個均具有包含鎳、鉻、鉬、鋁、鈦、銅、鎢或其合金的單層結構或者多層結構。

7.根據權利要求6所述的顯示裝置，其中，所述源電極和所述漏電極中的每一個均包含鈦和銅。

8.根據權利要求1所述的顯示裝置，進一步包括保護層以覆蓋所述像素電極，其中，所述公共電極設置于所述保護層上。

9.根據權利要求8所述的顯示裝置，其中，所述公共電極包括主分支部以及從所述主分支部伸出且彼此隔開的多個子分支部。

10.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述公共電極設置于所述第一絕緣基板與所述柵極絕緣層之間，并且與所述柵電極絕緣。

11.根據權利要求10所述的顯示裝置，其中，所述像素電極包括主分支部以及從所述主分支部伸出且彼此隔開的多個子分支部。

12.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述公共電極設置于所述第二絕緣基板上。

13.一種顯示裝置制造方法，包括：

在第一絕緣基板上形成第一導電層；

將所述第一導電層圖案化以形成柵電極；

在所述第一絕緣基板上形成柵極絕緣層以覆蓋所述柵電極；

在所述柵極絕緣層上順序地形成半導體材料和第二導電層；

對所述半導體材料和所述第二導電層圖案化以形成半導體圖案、源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極形成于所述半導體圖案上并且彼此隔開以露出所述半導體圖案的一部分；

在所述柵極絕緣層上順序地形成第一透明導電金屬氧化物層和第二透明導電金屬氧化物層；

對所述第一透明導電金屬氧化物層和所述第二透明導電金屬氧化物層圖案化，以便露出所述半導體圖案的所述一部分并且形成連接于所述漏電極的像素電極；

利用包含氫源的等離子體或者包含氫和氮源的等離子體對所述第一絕緣基板進行等離子體處理；以及

形成保護層以覆蓋所述像素電極，其中，所述第一透明導電金屬氧化物層包括至少包含銦的導電金屬氧化物層，并且所述第二透明導電金屬氧化物層包括不包含銦的導電金屬氧化物層。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，所述第一透明導電金屬氧化物層和所述第二透明導電金屬氧化物層中的每個包括錫或鋅中的至少一種。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，所述第二透明導電金屬氧化物層包括包含鋁、鍺或鎵中的至少一種的摻雜劑。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，所述第二透明導電金屬氧化物層包括金屬氧化物的質量分數5％以下的摻雜劑。