[發(fā)明專利]傳輸線結(jié)構(gòu)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110384921.9 | 申請日: | 2011-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN102856298A | 公開(公告)日: | 2013-01-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 楊明宗;李東興;詹歸娣 | 申請(專利權(quán))人: | 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/528 | 分類號: | H01L23/528 |
| 代理公司: | 北京萬慧達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11111 | 代理人: | 于淼;張一軍 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 傳輸線 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種傳輸線結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
介電層,設置于基底上;
至少一第一信號傳輸線,埋設于所述介電層內(nèi)的第一層位;
一對接地傳輸線,埋設于所述介電層內(nèi)的所述第一層位,且位于所述第一信號傳輸線的兩側(cè);
第一接地層,位于所述介電層內(nèi)低于所述第一層位的第二層位,且位于所述第一信號傳輸線以及所述接地傳輸線的下方;
第二接地層,位于所述介電層內(nèi)高于所述第一層位的第三層位,且位于所述第一信號傳輸線以及所述接地傳輸線的上方;
第一對介層連接窗,埋設于所述介電層內(nèi),且將所述接地傳輸線電性連接于所述第一接地層;以及
第二對介層連接窗,埋設于所述介電層內(nèi),且將所述接地傳輸線電性連接于所述第二接地層。
2.如權(quán)利要求1所述的傳輸線結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括多個第一信號傳輸線,埋設于所述介電層內(nèi)的所述第一層位,且位于所述接地傳輸線之間。
3.如權(quán)利要求1所述的傳輸線結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括至少一第二信號傳輸線,埋設于所述介電層內(nèi)所述第一層位與所述第二層位之間的層位,且位于所述第一對介層連接窗之間。
4.如權(quán)利要求3所述的傳輸線結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括多個第二信號傳輸線,埋設于介電層內(nèi)所述第一層位與所述第二層位之間的所述層位,且位于所述第一對介層連接窗之間。
5.如權(quán)利要求1所述的傳輸線結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括至少一第三信號傳輸線,埋設于所述介電層內(nèi)所述第一層位與所述第三層位之間的層位,且位于所述第二對介層連接窗之間。
6.如權(quán)利要求5所述的傳輸線結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括多個第三信號傳輸線,埋設于所述介電層內(nèi)所述第一層位與所述第三層位之間的所述層位,且位于所述第二對介層連接窗之間。
7.如權(quán)利要求1所述的傳輸線結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一信號傳輸線、所述接地傳輸線、所述第一接地層或所述第二接地層包括多晶硅或金屬。
8.如權(quán)利要求1所述的傳輸線結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一接地層或所述第二接地層為格柵層或?qū)嵭钠桨鍖印?/p>
9.如權(quán)利要求1所述的傳輸線結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一接地層或所述第二接地層內(nèi)具有至少一開口。
10.如權(quán)利要求1所述的傳輸線結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一對介層連接窗或所述第二對介層連接窗的每一個包括至少一插塞式介層連接窗或至少一狹縫式介層連接窗。
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