[發明專利]平行光器件的封裝結構及封裝方法

無效

• 申請號: 201110382675.3
• 申請日: 2011-11-25
• 公開（公告）號: CN102496614A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 馬強;潘儒勝
• 申請（專利權）人: 深圳市易飛揚通信技術有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/31;H05K1/18
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

【技術領域】

本發明涉及一種光通信技術，特別是涉及一種平行光器件的封裝結構及封裝方法。

【背景技術】

在傳統的光通信技術領域中，平行光信號的接收受和發送是通過不同的光器件來實現的，沒有集成的芯片。因此在應用于光模塊產品或是光通信信道時，需要采用兩個獨立的接收器件和發送器件來實現光信號的收發。然而，兩個器件的相對位置及角度每次都需要調整才能達到預期的效果，這不僅影響了光模塊產品更深層次的發展，也降低光通信信道架設的效率。

【發明內容】

鑒于上述狀況，有必要提供一種可同時實現光信號收發的平行光器件的封裝結構及封裝方法。

一種平行光器件的封裝結構，包括：

PCB板；

驅動芯片及放大芯片，其引腳焊接于所述PCB板上；

光電二極管陣列芯片，其引腳焊接于所述PCB板上并與所述放大芯片電連接；及

激光二極管陣列芯片，引腳焊接于所述PCB板上并與所述驅動芯片電連接，且其光敏面及邊緣與所述光電二極管陣列芯片的光敏面及邊緣均處于同一平面。

進一步地，所述光電二極管陣列芯片與所述激光二極管陣列芯片之間的間距為所述光電二極管陣列芯及所述激光二極管陣列芯片中單個二極管之間的間距的整數倍。

進一步地，所述光電二極管陣列芯片與所述激光二極管陣列芯片之間的間距為1.25毫米。

本發明還提供一種平行光器件的封裝方法。

一種平行光器件的封裝方法，包括以下步驟：

排列貼片：將光電二極管陣列芯片、激光二極管陣列芯片、放大芯片及驅動芯片貼于PCB板上，使所述光電二極管陣列芯片的光敏面及邊緣分別與所述激光二極管陣列芯片的光敏面及邊緣處于同一平面；

綁定焊接：將所述光電二極管陣列芯片、所述激光二極管陣列芯片、所述放大芯片及所述驅動芯片的引腳焊接于所述PCB板上；

耦合調整：調整所述光電二極管陣列芯片及所述激光二極管陣列芯片的光路，使所述光電二極管陣列芯片可接收來自光纖的光信號，所述激光二極管陣列芯片可將光信號發送到光纖中；

封裝：將所述光電二極管陣列芯片、激光二極管陣列芯片、放大芯片、驅動芯片及PCB板一起封裝起來。

進一步地，在進行所述封裝的步驟之前，還包括設置所述光電二極管陣列芯片的效率閾值的步驟，使所述光電二極管陣列芯片的光電轉換效率高于所述效率閾值。

進一步地，在進行所述封裝的步驟之前，還包括設置所述激光二極管陣列芯片的功率閾值的步驟，使所述激光二極管陣列芯片的光輸出功率高于所述功率閾值。

進一步地，在進行所述排列貼片的步驟時，所述光電二極管陣列芯片與所述激光二極管陣列芯片之間的間距為所述光電二極管陣列芯及所述激光二極管陣列芯片中單個二極管之間的間距的整數倍。

進一步地，在進行所述排列貼片的步驟時，所述光電二極管陣列芯片與所述激光二極管陣列芯片之間的間距為1.25毫米。

進一步地，在綁定焊接的步驟中，采用熱、壓力和超聲功率鍵合的方法將所述光電二極管陣列芯片、所述激光二極管陣列芯片、所述放大芯片及所述驅動芯片的引腳焊接于所述PCB板上。

進一步地，在耦合調整的步驟中，采用六位調整及45度全反射的方法調整所述光電二極管陣列芯片及所述激光二極管陣列芯片的光路。

上述平行光器件的封裝方法將光電二極管陣列芯片及激光二極管陣列芯片以一定的排布方式焊接于PCB板上，并通過耦合調整形成平行光器件的封裝結構。所述平行光器件封裝結構可通過所述光電二極管陣列芯片接受來自光纖的光信號并進行光電轉換，還可通過所述激光二極管陣列芯片向光纖發送光信號，因此實現了同時對光信號進行收發。

【附圖說明】

圖1為一實施例中平行光器件的封裝結構的示意圖；

圖2為實施例一的平行光器件的封裝方法的流程圖；

圖3為實施例二的平行光器件的封裝方法的流程圖。

【具體實施方式】

下面主要結合附圖說明本發明的具體實施方式。

請參與圖1，本發明較佳實施例的平行光器件的封裝結構100包括驅動芯片110、放大芯片120、光電二極管陣列芯片130、激光二極管陣列芯片140及PCB板150。

驅動芯片110及放大芯片120的引腳均焊接于PCB板150上。驅動芯片110驅動其他元件工作。放大芯片120起放大信號的作用。