[發明專利]平行光器件的封裝結構及封裝方法

無效

• 申請號: 201110382675.3
• 申請日: 2011-11-25
• 公開（公告）號: CN102496614A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 馬強;潘儒勝
• 申請（專利權）人: 深圳市易飛揚通信技術有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/31;H05K1/18
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種平行光器件的封裝結構，其特征在于，包括：

PCB板；

驅動芯片及放大芯片，其引腳焊接于所述PCB板上；

光電二極管陣列芯片，其引腳焊接于所述PCB板上并與所述放大芯片電連接；及

激光二極管陣列芯片，引腳焊接于所述PCB板上并與所述驅動芯片電連接，且其光敏面及邊緣與所述光電二極管陣列芯片的光敏面及邊緣均處于同一平面。

2.如權利要求1所述的平行光器件的封裝結構，其特征在于，所述光電二極管陣列芯片與所述激光二極管陣列芯片之間的間距為所述光電二極管陣列芯及所述激光二極管陣列芯片中單個二極管之間的間距的整數倍。

3.如權利要求2所述的平行光器件的封裝結構，其特征在于，所述光電二極管陣列芯片與所述激光二極管陣列芯片之間的間距為1.25毫米。

4.一種平行光器件的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

排列貼片：將光電二極管陣列芯片、激光二極管陣列芯片、放大芯片及驅動芯片貼于PCB板上，使所述光電二極管陣列芯片的光敏面及邊緣分別與所述激光二極管陣列芯片的光敏面及邊緣處于同一平面；

綁定焊接：將所述光電二極管陣列芯片、所述激光二極管陣列芯片、所述放大芯片及所述驅動芯片的引腳焊接于所述PCB板上；

耦合調整：調整所述光電二極管陣列芯片及所述激光二極管陣列芯片的光路，使所述光電二極管陣列芯片可接收來自光纖的光信號，所述激光二極管陣列芯片可將光信號發送到光纖中；

封裝：將所述光電二極管陣列芯片、激光二極管陣列芯片、放大芯片、驅動芯片及PCB板一起封裝起來。

5.如權利要求4所述的平行光器件的封裝方法，其特征在于，在進行所述封裝的步驟之前，還包括設置所述光電二極管陣列芯片的效率閾值的步驟，使所述光電二極管陣列芯片的光電轉換效率高于所述效率閾值。

6.如權利要求4所述的平行光器件的封裝方法，其特征在于，在進行所述封裝的步驟之前，還包括設置所述激光二極管陣列芯片的功率閾值的步驟，使所述激光二極管陣列芯片的光輸出功率高于所述功率閾值。

7.如權利要求4所述的平行光器件的封裝方法，其特征在于，在進行所述排列貼片的步驟時，所述光電二極管陣列芯片與所述激光二極管陣列芯片之間的間距為所述光電二極管陣列芯及所述激光二極管陣列芯片中單個二極管之間的間距的整數倍。

8.如權利要求7所述的平行光器件的封裝方法，其特征在于，在進行所述排列貼片的步驟時，所述光電二極管陣列芯片與所述激光二極管陣列芯片之間的間距為1.25毫米。

9.如權利要求4所述的平行光器件的封裝方法，其特征在于，在綁定焊接的步驟中，采用熱、壓力和超聲功率鍵合的方法將所述光電二極管陣列芯片、所述激光二極管陣列芯片、所述放大芯片及所述驅動芯片的引腳焊接于所述PCB板上。

10.如權利要求4所述的平行光器件的封裝方法，其特征在于，在耦合調整的步驟中，采用六位調整及45度全反射的方法調整所述光電二極管陣列芯片及所述激光二極管陣列芯片的光路。