[發明專利]改善電流傳輸堵塞的LED芯片結構

無效

• 申請號: 201110382514.4
• 申請日: 2011-11-28
• 公開（公告）號: CN102364707A
• 公開（公告）日: 2012-02-29
• 發明（設計）人: 鄧群雄;郭文平;柯志杰;黃慧詩
• 申請（專利權）人: 江蘇新廣聯科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 曹祖良

技術領域

本發明涉及一種LED芯片結構，尤其是一種改善電流傳輸堵塞的LED芯片 結構，屬于LED芯片的技術領域。

背景技術

LED(Lighting?Emitting?Diode)即發光二極管，是一種半導體固體發光器件。 當前節能環保是全球重要問題，低碳生活逐漸深入人心。在照明領域，功率LED 發光產品的應用正吸引著世人的目光，二十一世紀將進入以LED為代表的新型 照明光源時代。LED具有節能、環保、壽命長、結構牢固，響應時間快等特點， 可以廣泛應用于各種普通照明、背光源、顯示、指示和城市夜景等領域。LED 光源制造流程分為芯片制備和封裝。其中，功率LED芯片一般制備工藝為：首 先在襯底上通過MOCVD外延爐制作氮化鎵基的外延片，接下來對LED的PN 結的兩個電極進行加工，并對LED毛片進行減薄，劃片；然后對毛片進行分選 和測試。

目前，傳統LED芯片中PN中對應的兩個電極通過蒸鍍形成，當電流同側 雙電極的芯片兩個電極間傳輸時芯片容易產生電流堵塞，如圖1所示。圖1中 的曲線表示相應的電勢線，當電勢線從透明導電層指向N電極與N型氮化鎵層 的結合部，當電勢線聚集很多時，即容易產生堵塞，從而使得LED芯片產生相 應的熱量，對應區域的LED芯片發光效率低，影響LED芯片的使用。

發明內容

本發明的目的是克服現有技術中存在的不足，提供一種改善電流傳輸堵塞 的LED芯片結構，其結構簡單緊湊，提高了LED芯片的發光效率，與現有加工 工藝相兼容，延長了LED芯片使用壽命，安全可靠。

按照本發明提供的技術方案，所述改善電流傳輸堵塞的LED芯片結構，包 括襯底及位于所述襯底上方的P電極與N電極；所述N電極與襯底上方的N型 氮化鎵層電連接；所述N型氮化鎵層內設有改善傳輸槽，所述改善傳輸槽在N 型氮化鎵層內從N型氮化鎵層表面向襯底方向延伸，所述N電極填充于改善傳 輸槽內，并覆蓋于N型氮化鎵層對應的表面。

所述改善傳輸槽在N型氮化鎵層內的深度為1～2μm。所述N型氮化鎵層覆 蓋于襯底上，所述N型氮化鎵層上設有量子阱，所述量子阱上設有P型氮化鎵 層，所述P型氮化鎵層上設有透明導電層，所述透明導電層上設有鈍化層，所 述鈍化層包覆透明導電層及位于所述透明導電層下方的P型氮化鎵層與量子阱； 所述P電極穿過鈍化層與透明導電層電連接。

所述N型氮化鎵層對應于與N電極相連的端部設有連接臺階。所述襯底為 藍寶石基板。所述鈍化層的材料包括二氧化硅。

本發明的優點：襯底上設置N型氮化鎵層，N型氮化鎵層上設置P型氮化 鎵層，N型氮化鎵層與N電極等電位連接；P型氮化鎵層通過透明導電層與P 電極等電位連接，從而能夠構成LED芯片的兩個電極；N型氮化鎵層內設置改 善傳輸槽，N電極填充于改善傳輸槽內并覆蓋相應N型氮化鎵層表面；通過位 于改善傳輸槽內的N電極能分擔相應的電勢線，避免電勢線聚集在N電極與N 型氮化鎵層的結合部，能擴大電勢線的接觸面積，避免電勢線過渡聚集時產生 電流堵塞，降低電流堵塞產生的發熱現象，同時，能夠提高LED芯片的出光效 率；結構簡單緊湊，與現有加工工藝相兼容，延長了LED芯片使用壽命，安全 可靠。

附圖說明

圖1為現有LED芯片結構的示意圖。

圖2為本發明的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合具體附圖和實施例對本發明作進一步說明。

如圖2所示：本發明包括襯底1、N型氮化鎵層2、量子阱3、P型氮化鎵 層4、透明導電層5、P電極6、鈍化層7、改善傳輸槽8、N電極9及連接臺階 10。