[發(fā)明專利]改善電流傳輸堵塞的LED芯片結(jié)構(gòu)無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110382514.4 | 申請(qǐng)日： | 2011-11-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102364707A | 公開（公告）日： | 2012-02-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄧群雄;郭文平;柯志杰;黃慧詩 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/14 | 分類號(hào)： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214111 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 改善 電流 傳輸 堵塞 led 芯片 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種改善電流傳輸堵塞的LED芯片結(jié)構(gòu)，包括襯底(1)及位于所述襯 底(1)上方的P電極(6)與N電極(9)；所述N電極(9)與襯底(1)上方 的N型氮化鎵層(2)電連接；其特征是：所述N型氮化鎵層(2)內(nèi)設(shè)有改善 傳輸槽(8)，所述改善傳輸槽(8)在N型氮化鎵層(2)內(nèi)從N型氮化鎵層(2) 表面向襯底(1)方向延伸，所述N電極(9)填充于改善傳輸槽(8)內(nèi)，并覆 蓋于N型氮化鎵層(2)對(duì)應(yīng)的表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善電流傳輸堵塞的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征是： 所述改善傳輸槽(8)在N型氮化鎵層(2)內(nèi)的深度為1～2μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善電流傳輸堵塞的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征是： 所述N型氮化鎵層(2)覆蓋于襯底(1)上，所述N型氮化鎵層(2)上設(shè)有 量子阱(3)，所述量子阱(3)上設(shè)有P型氮化鎵層(4)，所述P型氮化鎵層(4) 上設(shè)有透明導(dǎo)電層(5)，所述透明導(dǎo)電層(5)上設(shè)有鈍化層(7)，所述鈍化層 (7)包覆透明導(dǎo)電層(5)及位于所述透明導(dǎo)電層(5)下方的P型氮化鎵層(4) 與量子阱(3)；所述P電極(6)穿過鈍化層(7)與透明導(dǎo)電層(5)電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善電流傳輸堵塞的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征是： 所述N型氮化鎵層(2)對(duì)應(yīng)于與N電極(9)相連的端部設(shè)有連接臺(tái)階(10)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善電流傳輸堵塞的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征是： 所述襯底(1)為藍(lán)寶石基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善電流傳輸堵塞的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征是： 所述鈍化層(7)的材料包括二氧化硅。
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