[發(fā)明專利]透光單銀低輻射鍍膜玻璃及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110381757.6 | 申請日： | 2011-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN102501450A | 公開（公告）日： | 2012-06-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林嘉宏 | 申請（專利權(quán)）人： | 林嘉宏 |
| 主分類號： | B32B9/04 | 分類號： | B32B9/04;B32B15/00;B32B17/00 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215321 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 透光 單銀低 輻射 鍍膜 玻璃 及其 制造 方法 | ||
1.一種透光單銀低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板和鍍在玻璃基板上的鍍膜膜層，其特征在于：
以玻璃基板為基礎(chǔ)，所述鍍膜膜層自內(nèi)向外依次包括第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層、銀層、第三電介質(zhì)層、第四電介質(zhì)層及第五電介質(zhì)層；
其中，第三電介質(zhì)層為AZO層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種透光單銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：
第一電介質(zhì)層為NbOx層；
第二電介質(zhì)層為ZnAlOx層；
銀層的材料為Ag；
第四電介質(zhì)層為ZnSnO3層；
第五電介質(zhì)層為Si3N4層。
3.一種透光單銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，其特征在于，其玻璃基板上的鍍膜膜層采用真空磁控濺射鍍膜，包括以下步驟：
步驟一、清洗、干燥玻璃基板；
步驟二、進行預(yù)真空過渡；
步驟三、在玻璃基板上依次鍍制第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層、銀層、第三電介質(zhì)層、第四電介質(zhì)層、第五電介質(zhì)層；
所述第三電介質(zhì)層通過旋轉(zhuǎn)交流陰極的AZO靶在純氬或氧、氬氛圍中濺射鍍膜。
4.按權(quán)利要求3所述的一種透光單銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，其特征?在于：
所述第一電介質(zhì)層通過旋轉(zhuǎn)交流陰極的陶瓷氧化鈮靶在氧、氬氛圍中濺射鍍膜；
所述第二電介質(zhì)層通過旋轉(zhuǎn)交流陰極的鋅鋁合金靶在氧、氬氛圍中濺射鍍膜，其中質(zhì)量比Zn∶Al＝98∶2；
所述銀層通過直流平面陰極的銀靶在氬氣氛圍中濺射鍍膜；
所述第四電介質(zhì)層通過旋轉(zhuǎn)交流陰極的鋅錫靶在氧、氬氛圍中濺射鍍膜，其中質(zhì)量比Zn∶Sn＝50∶50；
所述第五電介質(zhì)層通過旋轉(zhuǎn)交流陰極的硅鋁靶在氮、氬氛圍中濺射，其中質(zhì)量比Si∶Al＝92∶8。
5.按權(quán)利要求4所述的一種透光單銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，其特征在于，各膜層在鍍制過程中，其工藝氣體成分為：
鍍膜第一電介質(zhì)層，氧氣與氬氣的體積比為1∶10；
鍍膜第二電解質(zhì)層，氧氣與氬氣的體積比為9∶14；
鍍膜第三電解質(zhì)層，氧氣與氬氣的體積比為9∶100；
鍍膜第四電解質(zhì)層，氧氣與氬氣的體積比為3∶2；
鍍膜第五電解質(zhì)層，氮氣與氬氣的體積比為2∶1。?
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