[發明專利]可異地加工四銀低輻射鍍膜玻璃及其制造方法

無效

• 申請號: 201110381671.3
• 申請日: 2011-11-25
• 公開（公告）號: CN102501449A
• 公開（公告）日: 2012-06-20
• 發明（設計）人: 林嘉宏
• 申請（專利權）人: 林嘉宏
• 主分類號: B32B9/04
• 分類號: B32B9/04;B32B15/00;B32B17/00
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

1.一種可異地加工四銀低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片和鍍制在玻璃基片上的膜層，其特征在于，所述膜層自玻璃基片向外依次包括：基層電介質層、第一電介質組合層、第一阻擋保護層、第一銀層、第二阻擋保護層、第一間隔電介質組合層、第三阻擋保護層、第二銀層、第四阻擋保護層、第二間隔電介質組合層、第五阻擋保護層、第三銀層、第六阻擋保護層、第三間隔電介質組合層、第七阻擋保護層、第四銀層、第八阻擋保護層、第二電介質組合層。

2.根據權利要求1所述的可異地加工四銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述基層電介質層為硅基化合物。

3.根據權利要求2所述的可異地加工四銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述基層電介質層為Si₃N₄、SiO₂、SiOxNy中的一種。

4.根據權利要求1所述的可異地加工四銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一電介質組合層、第二電介質組合層、第一間隔電介質組合層、第二間隔電介質組合層、第三間隔電介質組合層由SSTOx、CrNx、CdO、MnO₂、InSbO、TxO、SnO₂、ZnO、ZnSnOx、ZnSnPbOx、ZrO₂、AZO、Si₃N₄、SiO₂、SiOxNy、BiO₂、Al₂O₃、Nb₂O₅、Ta₂O₅、In₂O₃、MoO₃材料膜層中的一種或幾種組成。

5.根據權利要求1所述的可異地加工四銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八阻擋保護層為金屬、金屬氧化物或金屬氮化物材料的膜層構成。

6.根據權利要求5所述的可異地加工四銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八阻擋保護層為Ti、NiCr、Ni、Cr、Nb、Zr、NiCrOx、NiCrNx、CrNx材料膜層中的一種。

7.一種可異地加工四銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，采用真空磁控濺射鍍膜的方式，其特征在于，包括以下步驟：

(1)、將玻璃基片清洗干燥后，將其置于真空濺射區，進行預真空過渡；

(2)、在所述玻璃基片上自下向上依次沉積形成基層電介質層、第一電介質組合層、第一阻擋保護層、第一銀層、第二阻擋保護層、第一間隔電介質組合層、第三阻擋保護層、第二層銀層、第四阻擋保護層、第二間隔電介質組合層、第五阻擋保護層、第三層銀層、第六阻擋保護層、第三間隔電介質組合層、第七阻擋保護層、第四銀層、八阻擋保護層、第二電介質組合層；

(3)、形成產品。

8.根據權利要求7所述的可異地加工四銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，其特征在于，所述基層電介質層、第一和第二電介質組合層、第一至第三間隔層電介質組合層均采用雙旋轉陰極、中頻反應磁控濺射方式沉積；所述第一至第四銀層、第一至第八阻擋保護層均采用平面陰極、直流濺射的方式沉積。

9.根據權利要求8所述的可異地加工四銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，其特征在于，所述雙旋轉陰極、中頻反應磁控濺射方式是在氬氧、氬氮或氬氧氮氛圍中進行；所述平面陰極、直流濺射的方式是在氬氧、氬氮或純氬氛圍中進行。