[發明專利]一種制備納米SiC增強MoSi2復合材料的方法有效
| 申請號： | 201110380699.5 | 申請日： | 2011-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN102515770A | 公開（公告）日： | 2012-06-27 |
| 發明（設計）人： | 張小立 | 申請（專利權）人： | 中原工學院 |
| 主分類號： | C04B35/58 | 分類號： | C04B35/58;C04B35/622 |
| 代理公司： | 鄭州中原專利事務所有限公司 41109 | 代理人： | 張紹琳;孫詩雨 |
| 地址： | 451191 河南省*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 納米 sic 增強 mosi sub 復合材料 方法 | ||
【權利要求書】：
1.?一種制備納米SiC增強MoSi2復合材料的方法，其特征在于具體步驟如下：
（1）將8-12重量份的、粒度為400目的C粉和75-85重量份的、粒度為400目的Mo粉在滾筒式混料機里進行混合得主體粉，混料時間為2-4小時；
（2）將8-15重量份的SiC和0.5-2重量份的酚醛樹脂混合均勻并機械合金化得輔助增強相；?
（3）將步驟（2）得到的輔助增強相和步驟（1）主體粉混合均勻，并壓制成坯料；
（4）將該坯料放入真空燒結爐中，反應熔滲硅，從而形成SiC增強MoSi2基復合材料。
2.根據權利要求1所述的制備納米SiC增強MoSi2復合材料的方法，其特征在于：步驟（2）中所述機械合金化的的球磨時間為20-28小時。
3.根據權利要求1或2所述的制備納米SiC增強MoSi2復合材料的方法，其特征在于：步驟（4）的燒結工藝為：升溫速度為20℃/min，真空度為≥10-2Pa，升溫至1550℃，通入氬氣，保溫30分鐘，然后升溫至1650℃，抽真空，后隨爐冷卻。
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