[發明專利]基板處理系統及基板處理方法無效
| 申請號: | 201110380437.9 | 申請日: | 2011-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN102479689A | 公開(公告)日: | 2012-05-30 |
| 發明(設計)人: | 井手俊幸 | 申請(專利權)人: | 拉碧斯半導體株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李浩;王忠忠 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 系統 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種對形成于晶片等基材上的感光性樹脂材料進行曝光的技術,尤其涉及一種對形成于基材周邊部(邊緣部)上的多余的感光性樹脂材料進行曝光的周邊曝光技術。
背景技術
在半導體制造工藝的光刻工序中,在晶片的整個面上涂敷感光性樹脂材料,由通向標線(reticule)(在基板上描繪電路等圖案的母版)的光來曝光該涂敷膜,即抗蝕劑膜,從而能夠將標線的圖案轉印到抗蝕劑膜上。之后,通過對抗蝕劑膜實施使用藥液的顯影處理,形成抗蝕劑圖案。該抗蝕劑圖案作為用于蝕刻加工被加工膜的掩膜使用。形成于晶片上的抗蝕劑膜中,晶片周邊部(邊緣部)上的感光性樹脂材料從晶片上剝離后變為垃圾,可能會導致成品率下降。因此,以前,在使用了標線的曝光工序之前,執行僅曝光晶片周邊部上多余的感光性樹脂材料的周邊曝光工序。
但是,在周邊曝光工序中曝光的感光性樹脂材料引起光化學反應后發泡,因該發泡,導致感光性樹脂材料的一部分(發泡片)飛散并附著在抗蝕劑膜的未曝光部分。擔心附著在未曝光部分的發泡片在形成于之后的光刻工序的抗蝕劑圖案中引起缺陷(圖案異常)。
圖1(A)~(D)是用于說明周邊曝光工序中由發泡現象引起的圖案異常的截面圖。如圖1(A)所示,在基板40上形成了被加工膜41及抗蝕劑膜43之后,向該基板40的外周部上的抗蝕劑膜43照射周邊曝光用的光LB。如圖1(B)所示,因周邊曝光用的光LB,導致發泡片43a、43b、43c飛散到抗蝕劑膜43的未曝光部分上。若對該抗蝕劑膜43執行顯影處理,則如圖1(C)所示,形成原本不存在的異常的抗蝕劑圖案43ra、43rb、43rc。之后,若執行將這些異常的抗蝕劑圖案43ra、43rb、43rc設為掩膜的蝕刻,則如圖1(D)所示,形成異常的加工圖案41pa、41pb、41pc。
抑制上述發泡現象的周邊曝光技術例如公開在特開平5-205991號公報(專利文獻1)、特公平7-50676號公報(專利文獻2)及特公平7-50677號公報(專利文獻3)中。這些專利文獻中公開的周邊曝光技術均通過分多次對晶片周邊部上的感光性樹脂材料進行曝光,降低每次的曝光量,從而抑制光化學反應的發生。
專利文獻1:特開平5-205991號公報
專利文獻2:特公平7-50676號公報
專利文獻3:特公平7-50677號公報
但是,例如即便分多次執行周邊曝光,有時也產生發泡現象,導致在抗蝕劑圖案中產生缺陷,成品率下降,尋求用于進一步抑制發泡現象的對策。
發明內容
鑒于上述問題,本發明的目的在于提供一種能夠有效地抑制對感光性樹脂材料進行曝光時的發泡現象的基板處理系統及基板處理方法。
本發明的基板處理系統,其特征在于,具有:洗凈裝置,對基板表面實施洗凈處理;抗蝕劑涂敷裝置,在所述基板的表面涂敷感光性樹脂材料,形成抗蝕劑膜;周邊曝光裝置,對形成于所述基板的周邊部上的該抗蝕劑膜進行曝光;基板傳送機構,將所述基板從所述抗蝕劑涂敷裝置傳送到所述周邊曝光裝置;以及系統控制器,控制所述洗凈裝置、所述抗蝕劑涂敷裝置、所述周邊曝光裝置和所述基板傳送機構各自的動作,所述系統控制器具有:等待時間監視部,監視從形成了所述抗蝕劑膜時起至由所述周邊曝光裝置開始對所述抗蝕劑膜進行曝光的曝光工序為止的該基板的等待時間;以及工藝控制部,當所述等待時間超過限制時間時,使所述基板傳送機構將該基板傳送到所述洗凈裝置,將利用所述洗凈裝置去除了所述抗蝕劑膜后的該基板從所述洗凈裝置傳送到所述抗蝕劑涂敷裝置。
本發明的基板處理方法是一種基板處理系統中的基板處理方法,所述基板處理系統具有:洗凈裝置,對基板的表面實施洗凈處理;抗蝕劑涂敷裝置,在所述基板的表面涂敷感光性樹脂材料,形成抗蝕劑膜;周邊曝光裝置,對形成于所述基板的周邊部上的該抗蝕劑膜進行曝光;以及基板傳送機構,將所述基板從所述抗蝕劑涂敷裝置傳送到所述周邊曝光裝置,其特征在于,所述基板處理方法具有如下步驟:監視從形成了所述抗蝕劑膜時起至由所述周邊曝光裝置開始對所述抗蝕劑膜進行曝光的曝光工序為止的該基板的等待時間;當所述等待時間超過限制時間時,使所述基板傳送機構將該基板傳送到所述洗凈裝置;以及將利用所述洗凈裝置去除了所述抗蝕劑膜后的該基板從所述洗凈裝置傳送到所述抗蝕劑涂敷裝置。
發明效果
根據本發明,能夠抑制發泡現象,并能夠抑制抗蝕劑圖案的缺陷發生。
附圖說明
圖1是用于說明周邊曝光工序中的由發泡現象引起的圖案異常的截面圖。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





