[發明專利]基板處理系統及基板處理方法無效
| 申請號: | 201110380437.9 | 申請日: | 2011-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN102479689A | 公開(公告)日: | 2012-05-30 |
| 發明(設計)人: | 井手俊幸 | 申請(專利權)人: | 拉碧斯半導體株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李浩;王忠忠 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 系統 方法 | ||
1.?一種基板處理系統,其特征在于,具有:
洗凈裝置,對基板的表面實施洗凈處理;
抗蝕劑涂敷裝置,在所述基板的表面涂敷感光性樹脂材料,形成抗蝕劑膜;
周邊曝光裝置,對形成在所述基板周邊部上的該抗蝕劑膜進行曝光;
基板傳送機構,將所述基板從所述抗蝕劑涂敷裝置傳送到所述周邊曝光裝置;以及
系統控制器,控制所述洗凈裝置、所述抗蝕劑涂敷裝置、所述周邊曝光裝置與所述基板傳送機構的各自的動作,
所述系統控制器具有:
等待時間監視部,監視從形成所述抗蝕劑膜時起到由所述周邊曝光裝置開始對所述抗蝕劑膜的曝光工序為止的該基板的等待時間;以及
工藝控制部,當所述等待時間超過了限制時間時,使所述基板傳送機構將該基板傳送到所述洗凈裝置,并將利用所述洗凈裝置去除了所述抗蝕劑膜后的該基板從所述洗凈裝置傳送到所述抗蝕劑涂敷裝置。
2.?根據權利要求1所述的基板處理系統,其特征在于,
所述周邊曝光裝置多次多重地對所述抗蝕劑膜進行曝光。
3.?根據權利要求1或2所述的基板處理系統,其特征在于,
還具有通知單元,當所述等待時間超過了所述限制時間時,利用視覺信息或音響信息來通知警報。
4.?根據權利要求1~3之一所述的基板處理系統,其特征在于,
所述基板是半導體晶片。
5.?一種基板處理系統中的基板處理方法,所述基板處理系統具有:洗凈裝置,對基板的表面實施洗凈處理;抗蝕劑涂敷裝置,在所述基板的表面涂敷感光性樹脂材料,形成抗蝕劑膜;周邊曝光裝置,對形成在所述基板的周邊部上的該抗蝕劑膜進行曝光;以及基板傳送機構,將所述基板從所述抗蝕劑涂敷裝置傳送到所述周邊曝光裝置,其特征在于,所述基板處理方法包括如下步驟:
監視從形成所述抗蝕劑膜時起到由所述周邊曝光裝置開始對所述抗蝕劑膜的曝光工序為止的該基板的等待時間;
當所述等待時間超過了限制時間時,使所述基板傳送機構將該基板傳送到所述洗凈裝置;以及
將利用所述洗凈裝置去除了所述抗蝕劑膜后的該基板從所述洗凈裝置傳送到所述抗蝕劑涂敷裝置。
6.?根據權利要求5所述的基板處理方法,其特征在于,
所述曝光裝置多次多重地對所述抗蝕劑膜進行曝光。
7.?根據權利要求5或6所述的基板處理方法,其特征在于,
還具有如下步驟,當所述等待時間超過了所述限制時間時,利用視覺信息或音響信息來通知警報。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





