[發明專利]半導體單元的引線連接裝置及連接方法有效
| 申請號: | 201110379707.4 | 申請日: | 2011-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN102479882A | 公開(公告)日: | 2012-05-30 |
| 發明(設計)人: | 安部光仁;堀內真司;奧大輔 | 申請(專利權)人: | 芝浦機械電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/05 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 楊謙;胡建新 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 單元 引線 連接 裝置 方法 | ||
1.一種半導體單元的引線連接裝置,將多個半導體單元通過經由熱固化性導電性部件被進行了虛壓接的引線連接成一列之后,對上述引線進行加壓加熱而使上述導電性部件熔融固化,從而進行實壓接,其特征在于,具備:
搬運機構,沿規定方向搬運通過被虛壓接的上述引線連接成一列的多個半導體單元;
加壓工具,對通過該搬運機構被搬運并定位的半導體單元的虛壓接有上述引線的部分進行加壓加熱,從而進行實壓接;以及
溫度上升防止機構,防止在通過該加壓工具將上述引線實壓接在被搬運并定位的上述半導體單元上時,用于將引線連接在位于被搬運并定位的上述半導體單元的搬運方向上游側的半導體單元上的上述導電性部件因上述加壓工具的熱而溫度上升。
2.如權利要求1所述的半導體單元的引線連接裝置,其特征在于,
在各個半導體單元的上表面和下表面上虛壓接有上述引線,
對通過上述搬運機構被搬運并定位的半導體單元的虛壓接有上述引線的部分進行加壓加熱而進行實壓接的上述加壓工具,是將被虛壓接在上述半導體單元的上表面和下表面上的各個引線同時實壓接的上部加壓工具和下部加壓工具。
3.如權利要求1所述的半導體單元的引線連接裝置,其特征在于,
上述溫度上升防止機構是向位于被搬運并定位的上述半導體單元的搬運方向上游側的半導體單元噴射氣體的供氣噴嘴。
4.如權利要求1所述的半導體單元的引線連接裝置,其特征在于,
上述溫度上升防止機構是與位于被搬運并定位的上述半導體單元的搬運方向上游側的半導體單元接觸并對該半導體單元進行冷卻的冷卻體。
5.如權利要求1所述的半導體單元的引線連接裝置,其特征在于,
上述溫度上升防止機構是將上述加壓工具的熱隔斷,從而防止位于被搬運并定位的上述半導體單元的搬運方向上游側的半導體單元的溫度上升的隔熱部件。
6.一種半導體單元的的引線連接方法,將多個半導體單元通過經由熱固化性導電性部件被虛壓接的引線連接成一列之后,對上述引線進行加壓加熱而使上述導電性部件熔融固化,從而進行實壓接,其特征在于,包括:
沿規定方向搬運通過被虛壓接的上述引線連接成一列的多個半導體單元的工序;
通過加壓工具對被搬運并定位的半導體單元的虛壓接有上述引線的部分進行加壓加熱,從而進行實壓接的工序;以及
防止在通過上述加壓工具將上述引線實壓接在被搬運并定位的上述半導體單元上時,用于將引線連接在位于被搬運并定位的上述半導體單元的搬運方向上游側的半導體單元上的上述導電性部件因上述加壓工具的熱而溫度上升的工序。
7.如權利要求6所述的半導體單元的引線連接方法,其特征在于,
在各個半導體單元的上表面和下表面上虛壓接上述引線,
在對被搬運并定位的半導體單元的虛壓接有上述引線的部分進行加壓加熱而進行實壓接時,同時對被虛壓接在上述半導體單元的上表面和下表面上的各個引線進行實壓接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





