[發明專利]半導體存儲器件和半導體存儲器件的驅動方法

有效

• 申請號: 201110379558.1
• 申請日: 2011-11-07
• 公開（公告）號: CN102543174A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 竹村保彥
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 錢孟清

1.一種半導體存儲器件，包括：

寫位線；

寫字線；

讀位線；

讀字線；

存儲單元；以及

反相放大器電路，配置成向所述寫位線提供所述讀位線的經反相和放大的電位，

其中所述存儲單元包括寫晶體管、讀晶體管、以及包括第一電極和第二電極的電容器，

其中所述寫晶體管的源極、所述讀晶體管的柵極和所述電容器的第一電極彼此連接，

其中所述寫晶體管的漏極連接至所述寫位線，

其中所述寫晶體管的柵極連接至所述寫字線，

其中所述讀晶體管的漏極連接至所述讀位線，以及

其中所述電容器的第二電極連接至所述讀字線。

2.一種半導體存儲器件，包括：

第一位線和第二位線；

第一字線和第二字線；

第一存儲單元和第二存儲單元；以及

反相放大器電路，配置成向所述第一位線提供所述第二位線的經反相和放大的電位，或者向所述第二位線提供所述第一位線的經反相和放大的電位，

其中所述第一存儲單元和所述第二存儲單元各自包括寫晶體管、讀晶體管、以及包括第一電極和第二電極的電容器，

其中所述第一存儲單元的寫晶體管的源極、所述第一存儲單元的讀晶體管的柵極以及所述第一存儲單元的電容器的第一電極彼此連接，

其中所述第二存儲單元的寫晶體管的源極、所述第二存儲單元的讀晶體管的柵極以及所述第二存儲單元的電容器的第一電極彼此連接，

其中所述第一存儲單元的寫晶體管的漏極連接至所述第一位線，

其中所述第二存儲單元的寫晶體管的漏極連接至所述第二位線，

其中所述第一存儲單元的寫晶體管的柵極連接至所述第二字線，

其中所述第二存儲單元的寫晶體管的柵極連接至所述第一字線，

其中所述第一存儲單元的讀晶體管的漏極連接至所述第二位線，

其中所述第二存儲單元的讀晶體管的漏極連接至所述第一位線，

其中所述第一存儲單元的電容器的第二電極連接至所述第一字線，以及

其中所述第二存儲單元的電容器的第二電極連接至所述第二字線。

3.如權利要求1或2所述的半導體存儲器件，其特征在于，

所述寫晶體管和所述讀晶體管設置在不同的層中。

4.如權利要求1或2所述的半導體存儲器件，其特征在于，

所述寫晶體管中所使用的半導體的類型與所述讀晶體管中所使用的半導體的類型彼此不同。

5.如權利要求1或2所述的半導體存儲器件，其特征在于，

所述反相放大器電路是觸發器電路。

6.如權利要求1或2所述的半導體存儲器件，其特征在于，

所述反相放大器電路是反相器。

7.一種如權利要求1所述的半導體存儲器件的驅動方法，其特征在于，包括以下步驟：

將所述寫晶體管的漏極和所述讀晶體管的漏極預充電至不同電位；

改變連接至所述電容器的第二電極的布線的電位；以及

用所述反相放大器電路將其相位與所述讀晶體管的漏極的電位的相位相反的電位輸出至所述寫晶體管的漏極。

8.一種如權利要求2所述的半導體存儲器件的驅動方法，其特征在于，包括以下步驟：

將所述第一位線與所述第二位線預充電至不同電位；

改變所述第一字線的電位；以及

用所述反相放大器電路將其相位與所述第二位線的電位的相位相反的電位輸出至所述第一位線。