[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

無效

• 申請號: 201110379466.3
• 申請日: 2011-11-24
• 公開（公告）號: CN102629587A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 李潤復
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1343
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 韓國勝;王瑩

技術領域

本發明涉及液晶顯示器技術領域，特別涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，TFT-LCD)技術在近些年來發展迅速，液晶顯示器在正面觀看畫面顯示效果很好，而從側面觀看就會出現變色。廣視角(Wide?Viewing?Angle)技術由于降低了側面看屏幕產生的變色程度，而成為新的發展趨勢。ADSDS(Advanced?Super?Dimension?Switch)，簡稱ADS，即高級超維場轉換技術是液晶界為解決大尺寸、高清晰度桌面顯示器和液晶電視應用而開發的廣視角技術。其通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關技術可以提高TFT-LCD產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push?Mura)等優點。

如圖1所示，ADS模式的液晶面板包括彩膜基板12和陣列基板，陣列基板包括位于下部的形成于基板1上的透明氧化銦錫(ITO)公共電極(Vcom，可視為板狀電極)3，和位于上部的鈍化層(Passivation)7上的像素(Pixel，可視為狹縫狀電極)電極8’。其中像素電極8’通過曝光、顯影、刻蝕和剝離形成圖案(Pattern)。彩膜基板12和陣列基板之間發生多維電場后在大部分領域上使光透過，從而可以實現高亮度的廣視角。ADS模式液晶面板的透過率與像素電極8’的間距(Pitch)a相關。

目前的液晶面板其像素電極的間距a一般是8～10um，像素電極的間距a等于像素電極的寬度(CD)b與像素電極之間的間隙(Spacer)c之和。當像素電極的間距a為10um時，像素電極的寬度b為4um，像素電極之間的間隙c為6um；當間距為8um，像素電極的寬度b為2.6um，像素電極之間的間隙c為5.4um時，液晶面板的亮度特性較好。當像素電極的間距a為6um，像素電極的寬度b為2um，間隙c為4um時，液晶面板的亮度特性非常好，但由于現有的曝光機能夠曝光的寬度在3.0-5.0um之間，因此工藝上要實現像素電極的寬度b小于3um較難，隨著像素電極寬度的變化液晶面板容易產生斑或波紋(Mura)等不良，降低液晶面板的顯示品質。

如圖2所示，示出了液晶面板的透過率與像素電極的寬度b之間的關系，隨著間距a＝b+c逐漸變小，液晶面板的亮度(即透過率)會增加；雖然亮度在增加，但維持亮度均一性的工藝范圍在逐漸減小。

再如圖3所示，示出了透過率的變化隨像素電極寬度b的變化仿真數據。圖中兩條曲線分別代表像素電極的間距a為8um和像素電極的間距a為10um時的情形。從圖中可以看出，當寬度b的增加百分比相同的情況下，像素電極的間距a為8um與像素電極的間距a為10um的液晶面板相比，透過率隨間距變化量的變化較大，容易產生斑或波紋(Mura)等現象。

結合圖2和圖3中兩個曲線圖可知，像素電極的間距a越小，液晶面板的亮度越好；在同樣的像素電極的間距a的情況下，像素電極的寬度b越小，液晶面板的亮度越好。

發明內容

(一)要解決的技術問題

本發明要解決的技術問題是如何形成尺寸更小的像素電極，以提高顯示裝置的透過率，改善斑或波紋現象。

(二)技術方案

為了解決上述技術問題，本發明實施例首先提供了一陣列基板的制作方法，包括：

步驟S1、在基板上形成柵電極、柵線和公共電極；

步驟S2、在完成步驟S1的基板上依次形成柵絕緣層和有源層；

步驟S3、在完成步驟S2的基板上形成源漏電極層；

步驟S4、在完成步驟S3的基板上形成鈍化層，并在所述鈍化層上形成過孔；

步驟S5、在完成步驟S4的基板上形成像素電極，所述像素電極通過過孔與源漏電極層中的漏電極連接；其中，所述形成像素電極的過程包括：初次刻蝕工藝、灰化工藝和二次刻蝕工藝。

在進一步的技術方案中，所述步驟S5具體包括：

步驟S51、在所述鈍化層上依次沉積透明導電膜和光刻膠；

步驟S52、對所述光刻膠進行曝光和顯影；

步驟S53、對步驟S52之后的透明導電膜進行第一次刻蝕；

步驟S54、對步驟S53之后的光刻膠進行灰化處理；