[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

無效

• 申請號: 201110379466.3
• 申請日: 2011-11-24
• 公開（公告）號: CN102629587A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 李潤復
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1343
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 韓國勝;王瑩

1.陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

步驟S1、在基板上形成柵電極、柵線和公共電極；

步驟S2、在完成步驟S1的基板上依次形成柵絕緣層和有源層；

步驟S3、在完成步驟S2的基板上形成源漏電極層；

步驟S4、在完成步驟S3的基板上形成鈍化層，并在所述鈍化層上形成過孔；

步驟S5、在完成步驟S4的基板上形成像素電極，所述像素電極通過過孔與源漏電極層中的漏電極連接；其中，所述形成像素電極的過程包括：初次刻蝕工藝、灰化工藝和二次刻蝕工藝。

2.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S5具體包括：

步驟S51、在所述鈍化層上依次沉積透明導電膜和光刻膠；

步驟S52、對所述光刻膠進行曝光和顯影；

步驟S53、對步驟S52之后的透明導電膜進行第一次刻蝕；

步驟S54、對步驟S53之后的光刻膠進行灰化處理；

步驟S55、對步驟S54之后的透明導電膜進行第二次刻蝕；

步驟S56、對步驟S55之后的光刻膠進行剝離處理，所述透明導電膜形成像素電極。

3.如權利要求1或2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S5中形成的像素電極的間距為4.5-6um，形成的像素電極的寬度為1.5-2um。

4.如權利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S5中形成的像素電極的間距為4.5um，形成的像素電極的寬度為1.5um。

5.如權利要求1-4任一項所述的方法制作的陣列基板，其特征在于，包括：基板，形成于所述基板上的柵電極、柵線和公共電極，形成于所述基板上并覆蓋所述柵電極、柵線和公共電極的柵絕緣層，依次形成在所述柵絕緣層上并位于柵電極之上的有源層和源漏電極層，形成在所述基板上的鈍化層，所述鈍化層上形成有過孔，形成在所述鈍化層上并通過過孔與源漏電極層中的漏電極連接的像素電極。

6.如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極的間距為4.5-6um，所述像素電極的寬度為1.5-2um。

7.如權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極的間距為4.5um，所述像素電極的寬度為1.5um。

8.顯示裝置，其特征在于，包括權利要求5-7任一項所述的陣列基板。