[發明專利]疊層式半導體組件制備方法

有效

• 申請號: 201110378837.6
• 申請日: 2011-11-21
• 公開（公告）號: CN102629561A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 林文強;王家忠
• 申請（專利權）人: 鈺橋半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/552;H01L21/60;H01L21/50
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種散熱增益型疊層式半導體組件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一凸塊、一凸緣層、一黏著層及一具有通孔的導電層，其中該凸塊定義出面朝第一垂直方向的一凹穴，且在相反于該第一垂直方向的第二垂直方向上覆蓋該凹穴，同時該凸塊鄰接該凸緣層并與該凸緣層一體成型，且自該凸緣層朝該第二垂直方向延伸，而該凸緣層則自該凸塊朝垂直于該第一及第二垂直方向的側面方向側向延伸；然后

通過該黏著層將該凸緣層及該凸塊黏附至該導電層，其中該黏著層介于該凸緣層與該導電層之間及該凸塊與該導電層之間，此步驟包括將該凸塊對準該通孔；然后

將包含一接觸墊的一半導體元件設置于該凸塊上且位于該凹穴處；

提供一增層電路于該半導體元件及該凸緣層上，其中該增層電路自該半導體元件及該凸緣層朝該第一垂直方向延伸，且電性連接至該半導體元件；

提供一基座，其鄰接該凸塊并自該凸塊朝該第二垂直方向延伸，且在該第二垂直方向上覆蓋該凸塊并自該凸塊側向延伸，同時該基座包括鄰接該通孔且與該凸塊保持距離的該導電層一選定部位；

提供一端子，其與該基座及該凸塊保持距離，并朝該第二垂直方向延伸于該黏著層外，同時該端子包括與該通孔及該凸塊保持距離的該導電層一選定部位；以及

提供一被覆穿孔，其朝該第一及第二垂直方向延伸貫穿該黏著層，以提供該增層電路與該端子間的電性連接。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，提供該凸塊的步驟包括：對一金屬板進行機械沖壓。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，將該凸緣層及該凸塊黏附至該導電層的步驟包括：

將未固化的該黏著層設置于該凸緣層上，此步驟包括將該凸塊對準該黏著層的一開口；

將該導電層設置于該黏著層上，此步驟包括將該凸塊對準該導電層的該通孔，其中該黏著層位于該凸緣層與該導電層之間；然后

使該黏著層流入該通孔內介于該凸塊與該導電層間的一缺口；以及

固化該黏著層。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于：

使該黏著層流入該缺口的步驟包括：加熱熔化該黏著層，并使該凸緣層及該導電層彼此靠合，借此使該凸塊于該通孔中朝該第二垂直方向移動，并對該凸緣層與該導電層間的該熔化黏著層施加壓力，其中該壓力迫使該熔化黏著層朝該第二垂直方向流入該通孔內介于該凸塊與該導電層間的該缺口；且

固化該黏著層的步驟包括：加熱固化該熔化黏著層，借此將該凸塊及該凸緣層機械性黏附至該導電層。

5.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于：

提供該黏著層的步驟包括提供一未固化環氧樹脂的膠片；

使該黏著層流入該缺口的步驟包括熔化該未固化環氧樹脂，并擠壓該凸緣層與該導電層間的該未固化環氧樹脂；且

固化該黏著層的步驟包括固化該未固化環氧樹脂。

6.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，使該黏著層流入該缺口的步驟包括：使該黏著層填滿該缺口，并迫使該黏著層朝該第二垂直方向超出該凸塊及該導電層，以使該黏著層接觸該凸塊與該導電層面向該第二垂直方向的表面。

7.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，設置該導電層的步驟包括：將該導電層單獨設置于該黏著層上，以使該導電層接觸該黏著層，而該通孔僅延伸貫穿該導電層。

8.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，設置該導電層的步驟包括：將一層壓結構設置于該黏著層上，其中該層壓結構包括該導電層及一襯底，以使該襯底接觸并介于該導電層與該黏著層之間，該導電層則與該黏著層保持距離，且該通孔延伸貫穿該導電層及該襯底。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，提供該增層電路的步驟包括：

提供一介電層于該半導體元件及該凸緣層上，其中該介電層自該半導體元件及該凸緣層朝該第一垂直方向延伸，且該介電層包括一對準該接觸墊的盲孔；以及

提供一導線于該介電層上，其中該導線自該介電層朝該第一垂直方向延伸，并于該介電層上側向延伸，同時朝該第二垂直方向穿過該盲孔而延伸至該接觸墊，以使該半導體元件電性連接至該導線。