[發明專利]三維層疊存儲器及其制造方法

有效

• 申請號: 201110376702.6
• 申請日: 2011-11-23
• 公開（公告）號: CN103137625A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 霍宗亮;劉明
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247;G11C16/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明;王寶筠

1.一種三維層疊存儲器，其特征在于，包括：

襯底；

襯底上的多層堆棧溝道，所述多層堆棧溝道包括交替層疊的半導體層和介質層，其中，所述半導體層的寬度大于介質層的寬度；

覆蓋所述多層堆棧溝道外表面的柵堆棧；

在所述柵堆棧上的柵電極。

2.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述半導體層的側壁基本為拱形。

3.根據權利要求1或2所述的存儲器，其特征在于，所述半導體層為多晶硅，所述介質層為二氧化硅。

4.一種三維層疊存儲器，其特征在于，包括：

襯底；

襯底上的多層堆棧溝道，所述多層堆棧溝道包括間隔層疊的多層半導體層，所述半導體層的側壁基本為拱形；

包圍所述半導體層外表面的柵堆棧；

包圍所述柵堆棧外表面的柵電極。

5.根據權利要求4所述的存儲器，其特征在于，所述半導體層為多晶硅，所述介質層為二氧化硅。

6.一種三維層疊存儲器的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上依次形成交替層疊的半導體層和介質層；

圖案化所有半導體層和介質層；

選擇性對所述介質層進行過刻蝕，以形成半導體層的寬度大于介質層的多層堆棧溝道；

在所述多層堆棧溝道外表面上形成柵堆棧；

在所述柵堆棧外表面上形成柵電極。

7.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，選擇性對所述介質層進行過刻蝕的步驟為：選擇性部分去除所述介質層，在半導體層間形成通孔，以形成包括間隔層疊的半導體層的多層堆棧溝道。

8.根據權利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，在選擇性對所述介質層進行過刻蝕之后，形成柵堆棧之前，還包括步驟：

進行熱氧化工藝，在半導體層暴露的表面上形成半導體氧化層；

去除半導體氧化層。

9.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半導體層為多晶硅，所述介質層為二氧化硅。