[發明專利]一種監控金屬層過刻蝕的方法及監控模塊

有效

• 申請號: 201110373594.7
• 申請日: 2011-11-22
• 公開（公告）號: CN103137510A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 馬萬里;趙文魁
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01B7/06
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種監控金屬層過刻蝕的方法，其特征在于，包括：

將晶圓上同時曝光的芯片模塊劃分到一組芯片模塊中，以得到多組芯片模塊；每組芯片模塊包含只少兩個芯片模塊；

針對每組芯片模塊設置有至少一個監控模塊，其中所述監控模塊設置在該組芯片模塊包含的芯片模塊之間的劃片道中；

針對每組芯片模塊，對所述每組芯片模塊對應的監控模塊的電性能進行測試，根據測試結果確定所述每組芯片模塊的金屬層過刻蝕量。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，監控模塊通過以下步驟得到：

在劃片道的硅襯底上設置多晶條；

在所述硅襯底上形成層間介質層，所述層間介質層覆蓋所述硅襯底和所述多晶條；

對所述層間介質層進行刻蝕，以刻蝕掉覆蓋在所述多晶條上的層間介質層；

在所述層間介質層上沉積金屬層，所述金屬層覆蓋所述多晶條和所述層間介質層；

對所述金屬層進行刻蝕，以蝕刻掉覆蓋在所述多晶條上的金屬層。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述硅襯底上形成層間介質之前，還包括：

在所述多晶條中光刻注入輕摻雜漏LDD、N型重摻雜NPLUS和P型重摻雜PPLUS。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，對所述每組芯片模塊對應的監控模塊的電性能進行測試，根據測試結果確定所述每組芯片模塊的金屬層過刻蝕量，具體包括：

測量所述監控模塊中進行金屬刻蝕之后的多晶條的第一電阻值；

根據所述第一電阻值與未進行金屬刻蝕之前的所述多晶條的第二電阻值，確定出所述監控模塊對應的金屬層過刻蝕量；

根據所述監控模塊的金屬層過刻蝕量確定出所述每組芯片模塊的金屬層過刻蝕量。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

當所述每組芯片模塊的金屬層過刻蝕量大于設置的刻蝕量閾值時，確定對所述每組芯片模塊進行金屬刻蝕發生異常，否則確定正常。

6.一種制作用于監控芯片模塊金屬層過刻蝕的監控模塊的方法，其特征在于，包括：

在晶圓的劃片道的硅襯底上設置多晶條；

在所述硅襯底上形成層間介質層，所述層間介質層覆蓋所述硅襯底和所述多晶條；

對所述層間介質層進行刻蝕，以刻蝕掉覆蓋在所述多晶條上的層間介質層；

在所述層間介質層上沉積金屬層，所述金屬層覆蓋所述多晶條和所述層間介質層；

對所述金屬層進行刻蝕，以蝕刻掉覆蓋在所述多晶條上的金屬層。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，在所述硅襯底上形成層間介質之前，還包括：

在所述多晶條中光刻注入輕摻雜漏LDD、N型重摻雜NPLUS和P型重摻雜PPLUS。

8.一種用于監控芯片模塊金屬層過刻蝕的監控模塊，其特征在于，包括：

設置有多晶條的硅襯底，所述硅襯底為晶圓上的劃片道對應的硅襯底；

設置在所述硅襯底上的層間介質層，所述層間介質層覆蓋在所述硅襯底上沒有設置多晶條的區域且不覆蓋所述多晶條；

設置在所述層間介質上的金屬層，所述金屬層不覆蓋所述多晶條。

9.如權利要求8所述的監控模塊，其特征在于，所述多晶條中光刻注入有輕摻雜漏LDD、N型重摻雜NPLUS和P型重摻雜PPLUS。