[發(fā)明專利]一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的高速讀操作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110372157.3
• 申請(qǐng)日: 2011-11-21
• 公開（公告）號(hào): CN103123807B
• 公開（公告）日: 2016-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林殷茵;李慧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 復(fù)旦大學(xué)
• 主分類號(hào): G11C11/4063
• 分類號(hào): G11C11/4063
• 代理公司: 上海元一成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31268
• 代理人: 吳桂琴

1.一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的高速讀操作方法，其特征在于，采用邏輯工藝的DRAM存儲(chǔ)單元，所述邏輯工藝的DRAM存儲(chǔ)單元為2T增益單元結(jié)構(gòu)，其包括寫入管Qw，讀出管Qr。

2.按權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的高速讀操作方法，其特征在于，寫入管Qw的有源區(qū)電容和讀出管Qr的柵電容，構(gòu)成單元的存儲(chǔ)電容。

3.按權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的高速讀操作方法，其特征在于，所述單元的操作方式為，當(dāng)單元寫時(shí)，寫字線WWL降低至約0.6V，保證PMOS寫入管Qw無論寫“0”還是寫“1”都能正常開啟；當(dāng)讀單元時(shí)，讀字線RWL被驅(qū)動(dòng)至1.2V，讀出管Qr根據(jù)單元存儲(chǔ)電荷值的不同決定對(duì)讀出位線RBL是否充電；當(dāng)單元保持時(shí)，寫位線WBL/讀位線RBL/讀字線RWL同時(shí)接地，而寫字線WWL拉高至Vdd，使得寫/讀管分別被徹底關(guān)閉以減少保持時(shí)單元的漏電。

4.按權(quán)利要求3所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的高速讀操作方法，其特征在于，該方法中，還包括：采用在靈敏放大器開啟之前啟動(dòng)讀列選通管的讀電路及操作方法，其中，讀串聯(lián)驅(qū)動(dòng)電路RDG由讀出位線驅(qū)動(dòng)管M1-M2和讀列選通管M3-M4構(gòu)成，M3-M4漏端接讀出數(shù)據(jù)線對(duì)RDB/BRDB，M1-M2源端和SA地端GND在版圖上共享。