[發明專利]一種BiCMOS工藝中寄生N-I-P型PIN器件結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201110372027.X
• 申請日: 2011-11-21
• 公開（公告）號: CN103123931A
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發明（設計）人: 胡君;劉冬華;錢文生;段文婷;石晶
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/73
• 分類號: H01L29/73;H01L29/06;H01L21/331
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種BiCMOS工藝中寄生N-I-P型PIN器件結構，其特征是，包括：P型襯底上方形成有有源區，P型膺埋層形成于有源區中，P型膺埋層上方形成有多個淺溝槽隔離，淺溝槽隔離上方形成有多晶硅層，有源區上方形成有發射區，發射區與多晶硅層交替排列，發射區通過接觸孔引出連接金屬連線，P型膺埋層通過深接觸孔引出連接金屬連線，深接觸孔中具有鈦或錫和鎢。

2.如權利要求1所述的PIN器件結構，其特征是：所述P型膺埋層具有硼或銦雜質。

3.如權利要求1所述的PIN器件結構，其特征是：所述有源區具有磷或砷雜質。

4.如權利要求1所述的PIN器件結構，其特征是：所述發射區具有磷或砷雜質。

5.一種BiCMOS工藝中寄生N-I-P型PIN器件結構的制造方法，其特征是，包括：

(1)在P型襯底上制作多個淺溝槽隔離，在淺溝槽隔離底部注入形成P型膺埋層；

(2)注入形成有源區，熱退火，使P型膺埋層擴散彼此實現重疊；

(3)生長多晶硅層；

(4)注入形成發射區；

(5)將發射區通過接觸孔引出連接金屬連線，將P型膺埋層通過深接觸孔引出連接金屬連線。

6.如權利要求5所述PIN器件結構的制造方法，其特征是：實施步驟(1)時，注入雜質為硼或銦，劑量為1e14cm^-2至1e16cm^-2，能量小于15keV。

7.如權利要求5所述PIN器件結構的制造方法，其特征是：實施步驟(2)時，注入雜質為磷或砷，劑量為1e12cm^-2至5e13cm^-2，能量為100keV至2000keV。

8.如權利要求5所述PIN器件結構的制造方法，其特征是：實施步驟(4)時，注入雜質為磷或砷，劑量為1e14cm^-2至1e16cm^-2，能量為2keV至100keV。