[發(fā)明專利]離化裝置及應(yīng)用離化裝置的鍍膜裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110371123.2
• 申請日: 2011-11-21
• 公開（公告）號: CN103122450A
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃登聰;彭立全
• 申請（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種離化裝置，用于蒸發(fā)鍍膜裝置中，用以對蒸料原子或分子進行離化，其特征在于：該離化裝置包括主體及裝設(shè)于主體上的熱電子發(fā)射系統(tǒng)和磁場發(fā)生裝置，該主體呈管狀結(jié)構(gòu)，該主體包括一側(cè)壁，側(cè)壁圍成腔體；該熱電子發(fā)射系統(tǒng)包括設(shè)置于腔體內(nèi)或腔體邊緣的電阻絲，該電阻絲與主體間設(shè)置有直流電壓；該磁場發(fā)生裝置包括設(shè)置于側(cè)壁外表面的若干永磁體。

2.如權(quán)利要求1所述的離化裝置，其特征在于：該主體的材質(zhì)為鋁、不銹鋼或銅，該側(cè)壁的厚度為1-5cm。

3.如權(quán)利要求1所述的離化裝置，其特征在于：該電阻絲的材質(zhì)為鎢或硼化鑭。

4.如權(quán)利要求1所述的離化裝置，其特征在于：該電阻絲連通有第一電源使電阻絲通電并發(fā)射熱電子。

5.如權(quán)利要求1所述的離化裝置，其特征在于：該主體的電位高于電阻絲的電位。

6.如權(quán)利要求1所述的離化裝置，其特征在于：該熱電子發(fā)射系統(tǒng)還包括二絕緣墊，該二絕緣墊穿過側(cè)壁，且分別固接電阻絲的兩端使電阻絲固定于腔體內(nèi)，該絕緣墊的材質(zhì)為絕緣陶瓷。

7.如權(quán)利要求1所述的離化裝置，其特征在于：該側(cè)壁開設(shè)有開設(shè)一缺口，該電阻絲固定連接于側(cè)壁上且設(shè)置于該缺口處，且電阻絲與主體之間的連接為非導(dǎo)電式連接。

8.如權(quán)利要求1所述的離化裝置，其特征在于：該若干永磁體中相鄰的二永磁體的極性設(shè)置相反，每一永磁體的N極和S極的連線平行于主體的縱向方向。

9.如權(quán)利要求1所述的離化裝置，其特征在于：該若干永磁體的數(shù)量為偶數(shù)個。

10.如權(quán)利要求1所述的離化裝置，其特征在于：該離化裝置還包括設(shè)置于主體的側(cè)壁上的冷卻管。

11.一種應(yīng)用權(quán)利要求1-10中任意一項所述的離化裝置的蒸發(fā)鍍膜裝置，該蒸發(fā)鍍膜裝置包括反應(yīng)室及設(shè)置于反應(yīng)室內(nèi)的坩堝，該離化裝置設(shè)置于坩堝上方。