[發(fā)明專利]離化裝置及應(yīng)用離化裝置的鍍膜裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110371123.2
• 申請(qǐng)日: 2011-11-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103122450A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃登聰;彭立全
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/32
• 分類號(hào): C23C14/32
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種離化裝置及應(yīng)用該離化裝置的鍍膜裝置，尤其涉及一種用以提高蒸料離化率的離化裝置。

背景技術(shù)

現(xiàn)有采用蒸發(fā)鍍膜裝置進(jìn)行鍍膜的方法為：在真空條件下，用電子束或熱電阻絲加熱的方法，將放置于坩堝之中的蒸料加熱至蒸發(fā)溫度，使其蒸料蒸發(fā)并沉積在基材上形成膜層。然而，在沉積成膜的過(guò)程中，蒸發(fā)的蒸料離化率不足，蒸料的能量低，沉積速率低，導(dǎo)致所鍍膜層與基材附著力較差，容易脫膜，且膜層的密度較小，因此難以制備出品質(zhì)較好的膜層。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，提供一種能夠有提高蒸發(fā)鍍膜膜層與基材結(jié)合力的離化裝置。

另外，還有必要提供一種應(yīng)用上述離化裝置的鍍膜裝置。

一種離化裝置，用于蒸發(fā)鍍膜裝置中，用以對(duì)蒸料原子或分子進(jìn)行離化，該離化裝置包括主體及裝設(shè)于主體上的熱電子發(fā)射系統(tǒng)和磁場(chǎng)發(fā)生裝置，該主體呈管狀結(jié)構(gòu)，該主體包括一側(cè)壁，側(cè)壁圍成腔體；該熱電子發(fā)射系統(tǒng)包括設(shè)置于腔體內(nèi)或腔體邊緣的電阻絲，該電阻絲與主體之間設(shè)置有直流電壓；該磁場(chǎng)發(fā)生裝置包括設(shè)置于側(cè)壁上的若干永磁體。

一種應(yīng)用離化裝置的蒸發(fā)鍍膜裝置，該蒸發(fā)鍍膜裝置包括反應(yīng)室及設(shè)置于反應(yīng)室內(nèi)的坩堝，該離化裝置設(shè)置于坩堝上方，該離化裝置包括主體及裝設(shè)于主體上的熱電子發(fā)射系統(tǒng)和磁場(chǎng)發(fā)生裝置，該主體呈管狀結(jié)構(gòu)，該主體包括一側(cè)壁，側(cè)壁圍成腔體；該熱電子發(fā)射系統(tǒng)包括設(shè)置于腔體內(nèi)或腔體邊緣的電阻絲，該電阻絲與主體之間設(shè)置有直流電壓；該磁場(chǎng)發(fā)生裝置包括設(shè)置于側(cè)壁上的若干永磁體。

本發(fā)明離化裝置應(yīng)用于蒸發(fā)鍍膜裝置中，其可對(duì)蒸料原子或蒸料分子進(jìn)行離化，進(jìn)而提高蒸料的能量和沉積速率，使用該離化裝置所制得的膜層與基材結(jié)合力較強(qiáng)，且膜層的質(zhì)量高。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的離化裝置的示意圖；

圖2為圖1中離化裝置沿II-II方向的剖視示意圖；

圖3為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的離化裝置的俯視示意圖。

圖4為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的離化裝置的俯視示意圖。

主要元件符號(hào)說(shuō)明

離化裝置100主體10腔體11側(cè)壁12缺口13直流電源15熱電子發(fā)射系統(tǒng)20電阻絲21絕緣墊23第一電源25磁場(chǎng)發(fā)生裝置30永磁體31

如下具體實(shí)施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。

具體實(shí)施方式