[發明專利]內電極導電漿料組合物和含該組合物的多層陶瓷電子元件

無效

• 申請號: 201110369965.4
• 申請日: 2011-11-18
• 公開（公告）號: CN102867565A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 金鐘翰;鄭賢哲;金俊熙
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01B1/16
• 分類號: H01B1/16;H01G4/008
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 王浩然;周建秋

1.一種多層陶瓷電子元件的內電極導電漿料組合物，所述導電漿料組合物含有：

金屬粉末；以及

耐火金屬氧化物粉末，所述耐火金屬氧化物粉末的平均顆粒直徑比所述金屬粉末的平均顆粒直徑小，并且所述耐火金屬氧化物粉末的熔點比所述金屬粉末的熔點高。

2.根據權利要求1所述的導電漿料組合物，其中，所述耐火金屬氧化物粉末為選自由WO₃、Ta₂O₅、Nb₂O₅和MoO₃組成的組中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的導電漿料組合物，其中，所述耐火金屬氧化物粉末包括WO₃和Nb₂O₅中的至少一種，并且以100重量份的所述金屬粉末為基準，所述耐火金屬氧化物粉末的含量為3至10重量份。

4.根據權利要求1所述的導電漿料組合物，其中，所述耐火金屬氧化物粉末包括Ta₂O₅，并且以100重量份的所述金屬粉末為基準，所述耐火金屬氧化物粉末的含量為5至12重量份。

5.根據權利要求1所述的導電漿料組合物，其中，所述耐火金屬氧化物粉末包括MoO₃，并且以100重量份的所述金屬粉末為基準，所述耐火金屬氧化物粉末的含量為2至7重量份。

6.根據權利要求1所述的導電漿料組合物，其中，所述金屬粉末為選自由Ni、Mn、Cr、Co、Al和它們的合金組成的組中的至少一種。

7.根據權利要求1所述的導電漿料組合物，其中，所述金屬粉末的平均顆粒直徑為50至400nm。

8.根據權利要求1所述的導電漿料組合物，其中，所述耐火金屬氧化物粉末的平均顆粒直徑為10至100nm。

9.一種多層陶瓷電子元件，所述多層陶瓷電子元件包括：

陶瓷燒結體；以及

在陶瓷主體的內部形成的內電極層，

其中，所述內電極層含有陷在所述內電極層中的耐火金屬氧化物粉末，所述耐火金屬氧化物粉末的熔點比用于形成所述內電極層的金屬粉末的熔點高。

10.根據權利要求9所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述耐火金屬氧化物粉末陷在用于形成所述內電極層的所述金屬粉末的分界面上。

11.根據權利要求9所述的多層陶瓷電子元件，其中，部分所述耐火金屬氧化物粉末被還原，從而在所述內電極層的表面上形成部分還原的耐火金屬氧化物粉末。

12.根據權利要求9所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述內電極層通過使用含有金屬粉末和耐火金屬氧化物粉末的導電漿料來形成，所述耐火金屬氧化物粉末的平均顆粒直徑比所述金屬粉末的平均顆粒直徑小，并且所述耐火金屬氧化物粉末的熔點比所述金屬粉末的熔點高。

13.根據權利要求9所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述內電極層含有選自由Ni、Mn、Cr、Co、Al和它們的合金組成的組中的至少一種金屬。

14.根據權利要求9所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述耐火金屬氧化物粉末的平均顆粒直徑為10至100nm。

15.根據權利要求9所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述耐火金屬氧化物粉末為選自由WO₃、Ta₂O₅、Nb₂O₅和MoO₃組成的組中的至少一種。

16.根據權利要求9所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述陶瓷燒結體和所述內電極層被一起焙燒。