[發明專利]完成小線距的導線制作方法

無效

• 申請號: 201110369499.X
• 申請日: 2011-11-18
• 公開（公告）號: CN102402138A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 薛景峰;許哲豪
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 歐陽啟明

【技術領域】

本發明是有關于一種光刻方法，特別是有關于一種完成小線距的導線制作方法。

【背景技術】

一般來說，在液晶面板的金屬線路制作過程中，會于玻璃基板上透過濺鍍形成一金屬層，再涂布光阻于所述金屬層上，光阻經過曝光顯影工藝后形成圖案化的光阻層，再透過蝕刻工藝移除未被光阻層覆蓋的金屬層部分，最后移除圖案化的光阻層后即可形成所需的金屬線路。

利用光刻技術可以對光阻曝光出不同線路圖案，但當線路圖案的線與線之間的線距(line-to-line?space)較小時，光阻會因為光透過率較低的關系而沒有獲得足夠曝光。經過顯影工藝之后，如圖1所示，原本應被去除的特定光阻部份仍有殘留，而導致光阻層900的區塊仍連接在一起，使得底下金屬層910在光刻后無法形成所需線路圖案。因此，線路圖案的有效線距往往受限于曝光機的曝光精度。

然而，在特定的液晶顯示裝置的產品設計中，線路圖案有時需要采用較小的線距，以提高產品的性能，例如，液晶的光穿透率。目前，液晶面板所采用的8.5代曝光機的最小曝光精度都受限于曝光機解析力(約3微米左右)，而無法制造線距小于曝光機解析力的產品。

故，有必要提供一種完成小線距的導線制作方法，以解決現有技術所存在的問題。

【發明內容】

有鑒于現有技術的缺點，本發明的主要目的在于提供一種完成小線距的導線制作方法，其在光罩曝光及顯影工藝之后增加光阻的灰化步驟，以去除受限于曝光精度而未能在顯影工藝中被完整去除的光阻。

為達成本發明的前述目的，本發明提供一種完成小線距的導線制作方法，導線制作方法包含下列步驟：

S1：提供一導體層；

S2：涂布一光阻層于所述導體層上；

S3：對所述光阻層進行曝光顯影處理；

S4：對所述光阻層進行灰化處理，以去除對應曝光區域的殘留光阻而圖案化所述光阻層；以及

S5：對所述導體層進行蝕刻處理并去除所述圖案化光阻層，以形成導線。

在本發明的一實施例中，步驟S3進一步包含下列步驟：

通過光罩對所述光阻層進行局部曝光；

以及對所述光阻層進行顯影處理，以初步去除所述光阻層對應曝光區域的部份。

在本發明的一實施例中，所述光罩具有寬度小于曝光機解析力的隙縫。

在本發明的一實施例中，所述導體層為銦錫氧化層或是金屬層。

在本發明的一實施例中，所述灰化處理是利用加熱或激光照射的方式使光阻層碳化揮發以去除所述殘留光阻。

本發明主要是在光罩曝光及顯影工藝之后增加對光阻的灰化處理，以去除受限于曝光精度而未能在顯影工藝中被完整去除的光阻，以在有限曝光精度的曝光顯影設備下，于基板上制作出線距更小的導線。

【附圖說明】

圖1是現有液晶面板的金屬線路制作過程中因曝光精度有限而導致顯影后光阻殘留的示意圖。

圖2A～2E是本發明完成小線距的導線制作方法一較佳實施例的制造示意圖。

圖3是本發明完成小線距的導線制作方法一較佳實施例的流程圖。

【具體實施方式】

為讓本發明上述目的、特征及優點更明顯易懂，下文特舉本發明較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。再者，本發明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內」、「外」、「側面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發明，而非用以限制本發明。

請參考圖3并同時配合圖2A～2E所示，其中圖3是本發明完成小線距的導線制作方法一較佳實施例的流程圖，圖2A～2E是本發明完成小線距的導線制作方法一較佳實施例的流程示意圖，本發明的完成小線距的導線制作方法包含有下列步驟：

S1：提供一導體層100；(如圖2A所示)

S2：涂布一光阻層110于所述導體層100上；

S3：對所述光阻層110進行曝光顯影處理，其中如圖2A所示，所述步驟可通過一圖案化的光罩2對所述光阻層110進行局部曝光；接著對所述光阻層110進行顯影處理，以初步去除所述光阻層110對應曝光區域的部份；如圖2B所示，當圖2A的光罩2供光線穿過的細縫的寬度d小于曝光機解析力(例如3微米)時，顯影后的光阻層110’對應曝光區域的位置將仍有光阻殘留；