[發明專利]一種雙腔室或多腔室薄膜沉積設備的氣體混合分配結構

無效

• 申請號: 201110369308.X
• 申請日: 2011-11-18
• 公開（公告）號: CN103122456A
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發明（設計）人: 王麗丹;梁學敏;劉憶軍
• 申請（專利權）人: 沈陽拓荊科技有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002
• 代理人: 白振宇

技術領域

本發明屬于半導體薄膜沉積設備領域，具體地說是一種雙腔室或多腔室薄膜沉積設備的氣體混合分配結構。

背景技術

薄膜沉積技術的原理是將晶圓置于真空環境中，通入適量的反應氣體，利用氣體的物理變化和化學反應，在晶圓表面形成固態薄膜。

與混氣進氣相關的美國專利，如公開日為2003年7月15日、公開號為6591850的美國專利，公開日為2004年7月6日、公開號為6758591的美國專利，公開日為2007年4月17日、公開號為7204155的美國專利，公開日為2003年9月18日、公開號為2003176074的美國專利，公開日為2008年8月28日、公開號為2008202610的美國專利，公開日為2003年12月16日、公開號為6662817的美國專利等，上述這些美國專利申請由于使用流量計、流量計控制器、閥門、傳感器等設備來控制氣體流量、壓強，成本高，結構復雜，占用空間大。

發明內容

本發明的目的在于提供一種雙腔室或多腔室薄膜沉積設備的氣體混合分配結構。該氣體混合分配結構在低成本、小體積、結構簡單的條件下實現設備的充分混氣和均勻進氣，保證了各工藝腔室之間保持相同的工藝狀態。

本發明的目的是通過以下技術方案來實現的：

本發明包括混氣室、氣體入口管路、氣體出口管路及進氣擋板，其中混氣室底面分別連接有第一氣體入口管路及第二氣體入口管路，所述第一氣體入口管路及第二氣體入口管路的上方設有安裝在混氣室底面上的進氣擋板，第一氣體入口管路及第二氣體入口管路的入口均位于所述進氣擋板的下方；所述氣體出口管路為至少兩個，對稱連接在混氣室相對的兩側面。

其中：所述混氣室為水平剖分結構，分為混氣室上半部分及混氣室下半部分，中間通過密封膠圈密封；所述第一氣體入口管路及第二氣體入口管路安裝在混氣室下半部分的底面上，第一氣體入口管路距混氣室一側面的距離與第二氣體入口管路距混氣室另一側面的距離相等；所述第一氣體入口管路及第二氣體入口管路的中心軸線相平行，且均與混氣室下半部分底面的中心基準面共面；所述混氣室下半部分的底面上向上延伸形成凸起，所述進氣擋板固接在該凸起上，進氣擋板與第一氣體入口管路及第二氣體入口管路之間的間隙為氣體初步混合區；所述氣體出口管路安裝在混氣室下半部分相對的兩側面上或安裝在混氣室下半部分軸向截面的兩側，兩側面或軸向截面的兩側上的氣體出口管路位于同一高度；氣體出口管路為兩個時，對稱設置在混氣室下半部分相對的兩側面上或對稱設置在混氣室下半部分軸向截面的兩側；氣體出口管路為兩個以上時，在混氣室下半部分相對的兩側面上或混氣室下半部分軸向截面的兩側均布；所述混氣室為軸對稱的幾何體。

本發明的優點與積極效果為：

1.本發明能夠使工藝氣體充分均勻混合，并使混合后的氣體均勻、平穩地流入各工藝腔室，保證各工藝腔室之間保持相同的工藝狀態。

2.本發明結構簡單，占用空間小，安裝維護方便，成本低廉。

3.工藝腔室安裝本發明后，不同腔室之間的工藝均勻性能夠提高40～50％。

附圖說明

圖1為本發明的縱剖面圖之一；

圖2為本發明的縱剖面圖之二(剖面與圖1中的剖面垂直)；

其中：1為混氣室，11為混氣室上半部分，12為混氣室下半部分；13為密封膠圈，

2為第一氣體出口管路，3為第二氣體出口管路，4為第一氣體入口管路，5為第二氣體入口管路，6為進氣擋板。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明作進一步詳述。

如圖1、圖2所示，本發明包括混氣室1、氣體入口管路、氣體出口管路及進氣擋板6，其中混氣室1為軸對稱的幾何體，如長方體、圓柱體，混氣室1可為一體結構，也可為水平剖分結構，本實施例的混氣室1為水平剖分結構、分為混氣室上半部分11及混氣室下半部分12，中間通過密封膠圈13密封連接。