[發明專利]一種雙腔室或多腔室薄膜沉積設備的氣體混合分配結構無效
| 申請號: | 201110369308.X | 申請日: | 2011-11-18 |
| 公開(公告)號: | CN103122456A | 公開(公告)日: | 2013-05-29 |
| 發明(設計)人: | 王麗丹;梁學敏;劉憶軍 | 申請(專利權)人: | 沈陽拓荊科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002 | 代理人: | 白振宇 |
| 地址: | 110168 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 雙腔室 多腔室 薄膜 沉積 設備 氣體 混合 分配 結構 | ||
1.一種雙腔室或多腔室薄膜沉積設備的氣體混合分配結構,其特征在于:包括混氣室(1)、氣體入口管路、氣體出口管路及進氣擋板(6),其中混氣室(1)底面分別連接有第一氣體入口管路(4)及第二氣體入口管路(5),所述第一氣體入口管路(4)及第二氣體入口管路(5)的上方設有安裝在混氣室(1)底面上的進氣擋板(6),第一氣體入口管路(4)及第二氣體入口管路(5)的入口均位于所述進氣擋板(6)的下方;所述氣體出口管路為至少兩個,對稱連接在混氣室(1)相對的兩側面。
2.按權利要求1所述雙腔室或多腔室薄膜沉積設備的氣體混合分配結構,其特征在于:所述混氣室(1)為水平剖分結構,分為混氣室上半部分(11)及混氣室下半部分(12),中間通過密封膠圈(13)密封。
3.按權利要求2所述雙腔室或多腔室薄膜沉積設備的氣體混合分配結構,其特征在于:所述第一氣體入口管路(4)及第二氣體入口管路(5)安裝在混氣室下半部分(12)的底面上,第一氣體入口管路(4)距混氣室(1)一側面的距離與第二氣體入口管路(5)距混氣室(1)另一側面的距離相等。
4.按權利要求3所述雙腔室或多腔室薄膜沉積設備的氣體混合分配結構,其特征在于:所述第一氣體入口管路(4)及第二氣體入口管路(5)的中心軸線相平行,且均與混氣室下半部分(12)底面的中心基準面共面。
5.按權利要求2所述雙腔室或多腔室薄膜沉積設備的氣體混合分配結構,其特征在于:所述混氣室下半部分(12)的底面上向上延伸形成凸起,所述進氣擋板(6)固接在該凸起上,進氣擋板(6)與第一氣體入口管路(4)及第二氣體入口管路(5)之間的間隙為氣體初步混合區。
6.按權利要求2所述雙腔室或多腔室薄膜沉積設備的氣體混合分配結構,其特征在于:所述氣體出口管路安裝在混氣室下半部分(12)相對的兩側面上或安裝在混氣室下半部分(12)軸向截面的兩側,兩側面或軸向截面的兩側上的氣體出口管路位于同一高度;氣體出口管路為兩個時,對稱設置在混氣室下半部分(12)相對的兩側面上或對稱設置在混氣室下半部分(12)軸向截面的兩側;氣體出口管路為兩個以上時,在混氣室下半部分(12)相對的兩側面上或混氣室下半部分(12)軸向截面的兩側均布。
7.按權利要求1或2所述雙腔室或多腔室薄膜沉積設備的氣體混合分配結構,其特征在于:所述混氣室(1)為軸對稱的幾何體。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





