[發明專利]一種由釩溶液制備五氧化二釩的方法有效
| 申請號: | 201110369148.9 | 申請日: | 2011-11-18 |
| 公開(公告)號: | CN103121716A | 公開(公告)日: | 2013-05-29 |
| 發明(設計)人: | 殷兆遷;李千文;穆小玲;孫朝暉 | 申請(專利權)人: | 攀鋼集團研究院有限公司;攀鋼集團有限公司;攀鋼集團攀枝花鋼釩有限公司 |
| 主分類號: | C01G31/02 | 分類號: | C01G31/02 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產權代理有限公司 11283 | 代理人: | 王浩然;周建秋 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 溶液 制備 氧化 方法 | ||
1.一種由釩溶液制備五氧化二釩的方法,所述釩溶液含有釩酸根離子、鉻離子和鈉離子,其特征在于,該方法包括以下步驟:
(1)在pH值為4-7的沉釩條件下,將所述釩溶液與第一沉釩劑進行第一接觸,以使所述釩溶液中的釩酸根離子與所述第一沉釩劑形成沉淀,并將第一接觸所得產物進行固液分離;
(2)將步驟(1)得到的固相產物溶解,得到第二釩溶液,在pH值為2-3或者pH值為8-11的沉釩條件下,將得到的所述第二釩溶液與第二沉釩劑進行第二接觸,以使所述第二釩溶液中的釩酸根離子與所述第二沉釩劑形成沉淀,并將第二接觸所得產物進行固液分離;
(3)將步驟(2)得到的固相產物進行煅燒。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,在所述步驟(1)中,所述第一接觸的條件包括:接觸溫度為5-50℃,接觸時間為0.5-2小時。
3.根據權利要求1或2所述的方法,其中,所述第一沉釩劑為銨根離子沉釩劑,在所述步驟(1)中,以所述釩溶液中每摩爾的釩元素為準,以銨根離子的摩爾數計的所述第一沉釩劑的用量為0.5-1mol。
4.根據權利要求1所述的方法,其中,在所述步驟(2)中,在pH值為8-11的沉釩條件下,所述第二接觸的條件包括:接觸溫度為20-60℃,接觸時間為0.5-2小時;在pH值為2-3的沉釩條件下,所述第二接觸的條件包括:接觸溫度為60-100℃,接觸時間為0.5-2小時。
5.根據權利要求1或4所述的方法,其中,所述第二沉釩劑為銨根離子沉釩劑,在所述步驟(2)中,以所述釩溶液中每摩爾的釩元素為準,以銨根離子的摩爾數計的所述第二沉釩劑的用量為0.5-3mol。
6.根據權利要求1或4所述的方法,其中,所述釩溶液還含有磷酸根離子和硅酸根離子,該方法還包括:在所述步驟(2)中,將得到的第二釩溶液與第二沉釩劑進行第二接觸之前,與除雜劑進行第三接觸,以使得第二釩溶液中的磷酸根離子和硅酸根離子與所述除雜劑形成沉淀,并進行固液分離,并將得到的液相與第二沉釩劑進行接觸。
7.根據權利要求6所述的方法,其中,所述除雜劑的用量使得接觸后得到的液相中游離的磷酸根離子和硅酸根離子的總濃度小于0.01克/升。
8.根據權利要求7所述的方法,其中,所述除雜劑的用量由下述公式(1)確定:
W=k×{(2C0×V)/m+(3C1×V)/m}????(1)
其中,W表示以與硅酸根離子和磷酸根離子反應的金屬陽離子計的除雜劑的摩爾數,C0表示釩液中硅酸根離子的摩爾濃度,單位為摩爾/升,C1表示釩液中磷酸根離子的摩爾濃度,單位為摩爾/升,V表示釩溶液的體積,單位為升,m表示除雜劑中與硅酸根離子和磷酸根離子反應的金屬陽離子的價態,k=0.9-1.1。
9.根據權利要求6所述的方法,其中,所述第三接觸的條件包括:接觸的溫度為50-100℃,接觸的時間為0.5-2小時,pH為8-10。
10.根據權利要求6所述的方法,其中,所述除雜劑選自硫酸鋁、氯化鋁、硝酸鋁、硫酸鐵、氯化鐵、硝酸鐵、硫酸鎂、氯化鎂、硝酸鎂、硫酸銨、氯化銨和硝酸銨中的一種或多種。
11.根據權利要求1所述的方法,其中,所述第一沉釩劑與第二沉釩劑相同或不同,各自獨立地選自硫酸銨、氯化銨、硝酸銨、碳酸銨、碳酸氫銨中的一種或多種。
12.根據權利要求1或11所述的方法,其中,所述第一沉釩劑為碳酸銨和/或碳酸氫銨;所述第二沉釩劑為硫酸銨和/或氯化銨。
13.根據權利要求1所述的方法,其中,在所述步驟(3)中,所述煅燒的條件包括:煅燒的溫度為500-550℃,煅燒的時間為1-3小時。
14.根據權利要求1所述的方法,其中,所述釩溶液中,所述總釩含量的濃度為5-35g/L,鉻離子的濃度不超過2.0g/L,磷元素的濃度為0.05-0.1g/L,硅元素的濃度為0.05-2.0g/L。
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