[發明專利]薄膜晶體管元件及顯示面板的像素結構與驅動電路

有效

• 申請號: 201110368902.7
• 申請日: 2011-11-14
• 公開（公告）號: CN102394247A
• 公開（公告）日: 2012-03-28
• 發明（設計）人: 張哲嘉;劉圣超;蔡五柳;魏全生;林志宏
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1368;G09G3/36
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;王穎

技術領域

本發明涉及一種薄膜晶體管元件及顯示面板的像素結構與驅動電路，尤指一種具有柵極與電容電極垂直重疊而形成一電容元件的薄膜晶體管元件，以及設置有上述薄膜晶體管元件的顯示面板的像素結構與驅動電路。

背景技術

平面顯示面板，例如液晶顯示面板，由于具有輕薄短小、低輻射與低耗電等特性，已取代傳統陰極射線管顯示器成為顯示器市場的主流產品。在平面顯示面板的發展上，窄邊框設計與高解析度規格為發展的兩大主要趨勢。在現行的平面顯示面板中，為了減少驅動芯片的數目，已發展出柵極驅動電路整合于陣列基板的作法(一般稱為GOA電路)。然而，隨著解析度的提升，制作在周邊區的GOA電路所占的面積也必須增加，因此使得平面顯示面板的邊框無法進一步縮減，而影響窄邊框平面顯示面板的發展。

發明內容

本發明的目的之一在于提供一種薄膜晶體管元件及顯示面板的像素結構與驅動電路，以提高顯示面板的像素結構的開口率及縮減顯示面板的邊框。

本發明的一較佳實施例提供一種薄膜晶體管元件，設置于一基板上。薄膜晶體管元件包括一柵極、一半導體通道層、一柵極絕緣層位于柵極與半導體通道層之間、一源極與一漏極分別位于半導體通道層的兩相對側并分別與半導體通道層部分重疊、一電容電極至少與柵極部分重疊，以及一電容介電層位于電容電極與柵極之間。電容電極、柵極與電容介電層形成一電容元件。

本發明的另一較佳實施例提供一種顯示面板的像素結構，設置于一基板上。顯示面板的像素結構包括一薄膜晶體管元件，以及一像素電極。薄膜晶體管元件包括一柵極、一半導體通道層、一柵極絕緣層位于柵極與半導體通道層之間、一源極與一漏極分別位于半導體通道層的兩相對側并分別與半導體通道層部分重疊、一電容電極至少與柵極部分重疊，以及一電容介電層位于電容電極與柵極之間。像素電極分別與漏極與電容電極電性連接，且電容電極、柵極與電容介電層形成一儲存電容元件。

本發明的又一較佳實施例提供一種顯示面板的驅動電路，包括多個驅動單元.且各驅動單元包括一薄膜晶體管元件與一電容元件。薄膜晶體管元件包括一柵極、一半導體通道層、一柵極絕緣層位于柵極與半導體通道層之間，以及一源極與一漏極分別位于半導體通道層的兩相對側并分別與半導體通道層部分重疊。電容元件包括一電容電極至少與薄膜晶體管元件的柵極部分重疊、一電容介電層位于電容電極與柵極之間，以及薄膜晶體管元件的柵極。

附圖說明

為讓本發明的上述和其他目的、特征、優點與實施例能更明顯易懂，所附附圖的詳細說明如下：

圖1繪示了本發明的第一較佳實施例的薄膜晶體管元件的示意圖；

圖2繪示了本發明的第二較佳實施例的薄膜晶體管元件的示意圖；

圖3繪示了本發明的第二較佳實施例的一變化型的薄膜晶體管元件的示意圖；

圖4繪示了本發明的一較佳實施例的顯示面板的像素結構；

圖5繪示了圖4的顯示面板的像素結構的等效電路圖；

圖6繪示了本發明的另一較佳實施例的顯示面板的驅動電路。

其中，附圖標記

10????薄膜晶體管元件????????12????基板

14????柵極??????????????????16????半導體通道層

18????柵極絕緣層????????????20S???源極

20D???漏極??????????????????22????電容電極

24????電容介電層????????????C?????電容元件

30????薄膜晶體管元件????????30’??薄膜晶體管元件

50????顯示面板的像素結構????40????薄膜晶體管元件

GL????柵極線????????????????DL????數據線

52??????像素電極??????????54??????保護層

56??????共通電極??????????Clc?????液晶電容

Cst?????儲存電容元件??????60??????驅動電路

62??????驅動單元??????????70??????薄膜晶體管元件

Gn??????柵極線????????????Gn+1????柵極線

Gn+2????柵極線????????????Gn+3????柵極線

具體實施方式